MOS电路版图及工艺-3-铝布线解析.ppt

* P+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。 * contact CMOS反相器版图流程(5) 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 * Metal 1 CMOS反相器版图流程(6) 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 * via CMOS反相器版图流程(7) 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 * Metal 2 CMOS反相器版图流程(8) 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 * VDD GND VDD GND inverter： Schematic: Layout: input output m1 m2 m2 m1 * 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形处，窗口注入形成P管和N管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，注入区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 硅栅CMOS 版图和工艺的关系 * 1. 有源区和场区是互补的，晶体管做在有源区处，金属和多晶连线多做在场区上。 2. 有源区和P+,N+注入区的关系：有源区即无场氧化层，在这区域中可做N型和P型各种晶体管，此区一次形成。 3. 至于以后何处是NMOS晶体管，何处是PMOS晶体管，要由P+注入区和N+注入区那次光刻决定。 4. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和P+注入区交集处即形成P+有源区， P+注入区比所交有源区要大些。 须解释的问题： * 5. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交有源区要大些。 6. 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。三层布线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 7. 三层半布线 金属1，金属2 ，多晶硅可做连线，所注入的有源区也是导体，可做短连线（方块电阻大）。四层线之间，多晶硅和注入有源区不能相交布线，因为相交处形成了晶体管，使得注入有源区连线断开。 * 5) P阱硅栅单层铝布线CMOS的工艺过程 下面以光刻掩膜版为基准，先描述一个P阱硅栅单层铝布线CMOS集成电路的工艺过程的主要步骤，用以说明如何在CMOS工艺线上制造CMOS集成电路。（见教材第7--9页，图1.12） * CMOS集成电路工艺--以P阱硅栅CMOS为例 1、光刻I---阱区光刻，刻出阱区注入孔 N-Si SiO2 * 2、阱区注入及推进，形成阱区 N-sub P-well * 3、去除SiO2，长薄氧，长Si3N4 N-sub P-well Si3N4 薄氧 * 4、光II---有源区光刻，刻出PMOS管、NMOS管的源、栅和漏区 N-Si P-well Si3N4 * 5、光III---N管场区光刻，N管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。 光刻胶 N-Si P- B+ * 6、长场氧，漂去SiO2及Si3N4，然后长栅氧。 N-Si P- * 7、光Ⅳ---p管场区光刻（用光I的负版），p管场区注入， 调节PMOS管的开启电压，然后生长多晶硅。 N-Si P- B+ * 8、光Ⅴ---多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻 多晶硅 N-Si P- * 9、光ⅤI---P+区光刻，刻去P管上的胶。P+区注入，形成PMOS管的源、漏区及P+保护环（图中没画出P+保护环）。 N-Si P- B+ * 10、光Ⅶ---N管场区光刻，刻去N管上的胶。 N管场区注入，形成NMOS的源、漏区及N+保护环（图中没画出）。 光刻胶 N-Si P- As * 11、长PSG（磷硅玻璃）。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ * 12、光刻Ⅷ---引线孔光刻。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ * 13、光刻Ⅸ---引线孔光刻（反刻Al）。 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ VDD IN OUT P N S D D S Al * 8.7 RS触发器 p.154 特性表实际上是一种特殊的真值表，它对触发器的描述