恒流源电路详解.pptVIP

同理，上式两边对VDS1求导，就可求得在IDS1＝（VDS3－Vth）/R时，Io的值为最大，且其最大值为： 因此，当IR取为（VDS3－Vth）/R时，其输出电流由M1与M3的宽长比之比、电阻R及M3的过驱动电压决定，而与电源电压无关。 该电流源具有很高的电源抑制比。且当IR稍偏离nVT/R时，输出电流值Io仍可几乎保持不变。 同理，该电路的一个主要缺点就是电阻R随工艺及温度变化较明显，因此必须考虑温度及工艺对输出电流Io的影响。 所有的MOS管都工作在饱和区，并且假设M3的宽长比为M1的K倍 。 根据KCL定理有： 且有： 根据饱和萨氏方程，则有： 求解上式可得： 如果ΔVth很小，则上式可简化成： 而根据有关跨导的定义，可求得其负载管的跨导为： 由上式可以看出输出电流与电源电压几乎无关，是一高电源抑制的电流源。 并且可以看出该电路的负载管的跨导为一常数，因此又称为恒定跨导gm的电流源。 当然该电路的缺点是电阻R的温度系数与工艺偏差会影响gml，为了减小电阻R的影响，对该电流源可进一步改进成： 1 、把电阻R接到M4的源极以避免体效应。 2 、电阻R可用开关电容电阻实现，可以得到较高的精度和调谐能力，但这需要另加时钟与电容。 * 另外，根据第二章的所介绍的知识可知，由于在实际工艺制作MOS管时，其漏源区存在边缘扩散效应，其用作沟道的长度实际上小于版图中所画的长度（L’ LDR