拉扎维模拟集成电路精讲ppt第二讲单级放大器.pptVIP

第三章 单级放大器 提纲 1、共源级放大器 2、共漏级放大器（源跟随器） 3、共栅级放大器 4、共源共栅级放大器 基本概念 设计的多维优化 1、共源级放大器 1.1 电阻做负载的共源级放大器 大信号分析 因为MOS管工作在饱和区时， 小信号分析 讨论 增益对信号电平的依赖关系导致了非线性 1.2 MOS二极管连接做负载的共源级 MOS二极管连接 增益 NMOS二极管连接做负载 讨论 增益与输入信号无关，是器件尺寸的弱函数。 高增益要求会造成集体管的尺寸不均衡。 1.3 电流源负载的共源级放大器 讨论 M2的输出阻抗与所要求的M2的最小|VDS|之间联系较弱，因此对输出摆幅的限制较小。 ,所以，长沟器件可以产生高的电压增益。 由 ，知需要同时增加W、L，但这将引入更大的电容。 1.4 工作在线性区的MOS为负载的共源级放大器 1.5 带源级负反馈的共源级放大器 大信号分析 小信号直接分析方法 考虑沟道长度调制及体效应时，电路的交流小信号模型为 小信号等效分析 计算Gm 计算Rout 计算Av 2、共漏级放大器（源跟随器） 大信号分析 当VinVTH时，M1处于截止状态，Vout等于零； 小信号分析 采用电流源的源跟随器 采用电流源的源跟随器 考虑M1、M2的沟道长度效应，并驱动电阻负载， 讨论 即使源跟随器采用理想电流来偏置，输入输出特性仍呈现一些非线性。 将衬底和源连接在一起，就可以消除由体效应带来的非线性。对于N阱工艺，可采用PMOS来实现（左图）。 源跟随器使信号直流电平产生VGS的移动，会消耗电压余度。 例：右图中，若没有源跟随器，VX最小允许电压为VGS1-VTH1；若加上源跟随器VX必须大于VGS2＋（ VGS3-VTH3 ） 3、共栅级放大器 大信号分析 （Vin从某一个大值开始减少） 当Vin≥Vb－VTH时， M1处于关断状态，Vout＝VDD 由大信号分析得到小信号增益 当M1处于饱和区时 考虑晶体管的输出电阻及信号源的阻抗 （小信号分析） 增益 输入阻抗 输出阻抗 与计算带负反馈的共源级放大器的输出电阻情况一致。 4、共源共栅级放大器 偏置条件 使M1，M2都处于饱和区， 小信号分析 增益 输出阻抗 讨论 折叠式共源共栅放大器 所谓“折叠”针对小信号电流。 为了获得相当的性能，折叠式共源共栅放大器的总偏置电流应该比共源共栅放大器的大。 大信号分析 器件模型的选择 怎样选择一个足够精确的器件模型呢？ 先通过简单模型分析电路的基本特性。 电路仿真必不可少，但不要让计算机替你去思考！ 输出阻抗的计算： 输出阻抗的计算： 共漏级放大器 戴维南等效 小信号分析 共漏级放大器 共漏级放大器 比较： （a）是源跟随器 （b）驱动负载电阻的共源级 给定偏置电流，假设 ，则源跟随器增益至多为0.5，而共源级的增益接近1 源跟随器的应用 增益： 因为： 所以Vin最大允许直流电平： 如果 X点电位： 为保证M1工作在饱和区，则 所以， 共栅级放大器 当Vin较小时，且M1处于饱和区， 当Vin即一步减小，Vout也逐步减小， 最终M1进入线性区，此时， 共栅级放大器 因此， 而 得到， 讨论：增益是正值； 体效应使共栅极的等效跨导变大了； 共栅极放大器的输入阻抗较小。 小信号分析 共栅级放大器 共栅级放大器 ，流过ro的电流为 若 则， 如果RD=0 如果用理想电流源代替RD 输入阻抗将趋近无穷 输入阻抗的两种特殊情况： 共栅级放大器 因此，输出电阻， 共源共栅级放大器 为保证M1工作在饱和区，必须满足： 为保证M2工作在饱和区，必须满足： VX主要由Vb决定： 所以， 如果Vb的取值使M1处于饱和的边缘，则 工作过程的分析 当Vin≤VTH1，M1，M2处于截止状态， Vout=VDD，且Vx≈Vb－VTH2（忽略亚阈 值导通） 当Vin＞VTH1，开始出现电流，Vout下降， 因为ID2增加，VGS2必定同时增加，故 Vx下降。 如果Vin足够大，M1或M2将进入线性区。 （与器件尺寸、RD及Vb有关） 如果M2进入深线性区，VX和Vout将接近 相等 共源共栅级放大器 两个晶体管均工作在饱和区； 若λ＝0，由于输入管产生的漏电流必定流过整个共源共栅极电路，所以， Av=Vout/Vin=-g