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第一部分 基本元器件 一、晶体二极管 （一）半导体知识 半导体材料及其特性 （1）材料：最常用的是 硅 和 锗 两种。 （2）特征：半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性等。 三种半导体性能比较 特点 种类 掺杂 元素 空穴与自由 电子数量 多子 少子 导电 性能 本征半导体 / 空穴数=自由电子数 / / 几乎不导电 P型半导体 3价元素 空穴数?自由电子数 空穴 自由电子 能导电 N型半导体 5价元素 空穴数?自由电子数 自由电子 空穴 能导电 注：P型半导体和N型半导体总体都显电中性。 （二）晶体二极管 PN结及其单向导电性 PN结：半导体基片上相邻的P型半导体和N型半导体的结合部形成的特殊导电薄层称为PN结。 PN结单向导电性 PN结正向偏置（P接高电位，N接低电位）时，耗尽层 变窄 ，电阻 很小 ，处于 导通 状态。 PN结反向偏置（P接低电位，N接高电位）时，耗尽层 变宽 ，电阻 很大 ，处于 截止 状态。 晶体二极管的结构、分类及型号 （1）晶体二极管的结构 ①二极管的内部是一个 PN结 ，故二极管也具有 单向导电性 。 ②二极管的单向导电性：晶体二极管加一定的 正向 电压时导通，加 反向 电压时截止的特性。 （2）晶体二极管的符号 ①文字符号：V、D等。 ②图形符号： （3）晶体二极管的分类 分类标准 种类 材料 硅、锗 PN结面积 点接触型、面接触型 用途 整流二极管、稳压二极管、开关二极管等 （4）晶体二极管的型号 晶体二极管的伏安特性和主要参数 （1）伏安特性：指二极管上流过的电流I与二极管所加两端电压v的关系。 伏安特性图 总结二极管的特性如下表 正向 特性 死区 此时正向电流几乎为零 死区电压（门坎电压）：硅管 0.5 V 、锗管 0.2V 导通区 正向电流随电压急剧上升 导通电压（正向压降）：硅管 0.7 V 、锗管 0.3V 反向 特性 反向 截止区 反向饱和电流很小且不随反向电压变化，在纳安（硅管）或微安（锗管）数量级 反向 击穿区 反向电流突然急剧增大 结论由特性曲线可见： a、二极管为 非线性 电阻，流过二极管的电流越大，则二极管的电阻 越小 。 b、整流二极管工作在 正向导通 区；稳压二极管工作在 反向击穿 区。 （2）主要参数： ①最大整流电流IFM ②最高反向工作电压VRM ③反向漏电流IR 注：最高反向工作电压并非管子的反向击穿电压，它一般为反向击穿电压 的 一半 到 三分之一 。 （3）理想二极管：正向导通时，R正= 0 ，反向截止时，R反= ∞ 。 4、晶体二极管的简易测试 测量二极管时，应将万用表拨到“Ω档”，一般用 Rⅹ100Ω 或 Rⅹ1ΚΩ 两档。 测量情况如图 正常时 内部短路 内部开路 R正 很小 很小 很大 R反 很大 很大 很大 硅稳压二极管 (1)电击穿和热击穿 电击穿 是可逆的， 热击穿 是不可逆的，会永久损坏二极管。由于 硅 管的热稳定性好，一般稳压管用 硅 管。 （2）稳压特性 稳压管工作在伏安特性曲线的 击穿区 。 稳压特性：硅二极管在击穿区，反向电流的变化（?IZ）很大，但管子两端电压变化（?VZ）很小。 注：①普通二极管正向使用也有稳压作用，但稳压值很小。 ②普通二极管反向使用时没有稳压功能。 （3）主要参数 ①稳定电压Vz ②稳定电流Iz ③最大稳定电流Izmax ④动态电阻rz 注：反向击穿曲线 越陡 ，rz 越小 ，稳压管稳压性能越好。 二、晶体三极管 1、三极管的结构、分类、符号 （1）结构： 三个区： 集电区、 基区 、 发射极 。 两个结： 集电结 、 发射结 。 三个极： 集电极 、 基极 、 发射极 。 （2）分类： ① 按导电类型分： ② 按工作频率分： ③ 按功率分： ④ 按用途分： ⑤ 按材料分： （3）型号： A A B D C G D X （4）符号