9CMOS基准源解析.ppt

带隙基准源系数推导（9） 令： 则有： 解之得： 带隙基准源性能说明 注意，前面推导得到了一个在T0温度下具有零温度系数的表达式，从表达式也容易判断出，当温度偏离T0时，带隙基准电压源的输出不再具有零温度系数。即 不再等于零。 CMOS带隙基准源举例（1） 一个基于CMOS工艺衬底纵向寄生PNP的带隙基准电压源。 CMOS带隙基准源举例（2） 设Cascod结构的电流镜（M5—M10）保证流过三极管Q1，Q2和Q3的电流相等。 因此，输出的基准电压可以表示为： CMOS带隙基准源举例（3） CMOS带隙基准源举例（4） 虚短=A点电位与B点电位相同。 因此，R3两端电压即为两个BE结压降之差； 而且，由A、B两点电位相同，如果R1=R2，那么两条支路电流相同。 或者： 则有： 基于CMOS工艺的纵向PNP 基于标准CMOS工艺的纵向PNP（寄生）放大倍数较小。而且P型衬底必须接到最低电位，因此纵向PNP的集电极必须接地。 版图示例 总结 带隙基准源是利用Si的禁带电压来构造的一种基准源，典型的带隙基准源输出电压也与Si的禁带电压几乎相等。 带隙基准源是一种温度系数较小的基准源电路，根据电路设计的不同，它可以实现在某一温度下具有零温度系数。 从带隙基准源的表达式中也可以看出，这种结构的基准源同时具有较低的电源抑制