电工学第15章基本放大电路汇总.ppt

场效应管与晶体管的比较 电流控制 电压控制 控制方式 电子和空穴两种载 流子同时参与导电 载流子 电子或空穴中一种 载流子参与导电 类 型 NPN和PNP N沟道和P沟道 放大参数 rce很高 rds很高 输出电阻 输入电阻 较低 较高 双极型三极管 单极型场效应管 热稳定性 差 好 制造工艺 较复杂 简单，成本低 对应电极 B—E—C G—S—D 15.10.3 场效应管放大电路 场效应晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点，常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效应管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效应管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效应管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。 1.自给偏压式偏置电路 15.10.3 场效应管放大电路 栅源电压UGS是由场效应管自身的电流提供的，故称自给偏压。 UGS = –RSIS = –RSID +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS T为N沟道耗尽型场效应管 增强型MOS管因UGS=0时， ID? 0，故不能采用自给偏压式电路。 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 静态分析可以用估算法或图解法( 略 ) 估算法： UGS = – RSID 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD –ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式 对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。 +UDD RS CS C2 C1 RD RG + T + _ + _ ui uo IS + _ UGS 例：已知UDD =20V、RD=3k?、 RS=1k?、 RG=500k?、UGS(off)= –4V、IDSS=8mA， 确定静态工作点。 解：用估算法 UGS = – 1? ID UDS= 20 – 2（ 3 + 1 ）= 12 V 列出关系式 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ， 所求静态解为UGS = –2V ID=2mA、 2. 分压式偏置电路 (1) 静态分析 + – +UDD RS CS C2 C1 RG1 RD RG2 RG + + – RL ui uo 估算法： 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID; 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式 流过 RG 的电流为零 (2) 动态分析 电压放大倍数 RG1 RD RG2 RG + – RL + – S D G T 交流通路 输入电阻 输出电阻 RG是为了提 高输入电阻ri 而设置的。 3.源极输出器 +UDD RS C2 C1 RG1 RG2 RG + – RL ui uo + – + RG1 RS RG2 RG + – RL + – S D G T + – 交流通路 电压放大倍数 特点与晶体管的射极输出器一样 当场效应管工作在可变电阻区时，漏源电阻： 场效应管可看作由栅源电压控制的可变电阻。 U DS －1V －1.5V UGS=－0.5V 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 －2V －2.5V | UGS |愈大， RDS愈大。 N沟道结型场效应管的转移特性 * * * * * * * * * * * * * * * 双端输入—双端输出差分电路的差模电压放大倍数为 当在两管的集电极之间接入负载电阻时 式中 两输入端之间的差模输入电阻为 两集电极之间的差模输出电阻为 例1:在前图所示的差分放大电路中,已知UCC=12V， EE = 12V, ? = 50, RC = 10 k?, RE =10 k?, RB = 20 k?， RP =100 ?, 并在输出端接负载电