电磁场与电磁波第3章).pptVIP

3.12 电磁场的边界条件 研究边界条件的出发点仍然是麦克斯韦方程组，但在不同媒质的交界面处，由于媒质不均匀，媒质的性质发生了突变，使得场量也可能产生突变，因此，微分形式的方程可能不再适用，而只能从麦克斯韦方程组的积分形式出发，推导出边界条件。 电磁场的边界条件通常包括 边界面上场量的法向分量（Normal component） 切向分量（Tangential component） 1、一般媒质界面的边界条件 如图为两种一般媒质的交界面，第一种媒质的介电常数、磁导率、电导率分别为 ， ， ；第二种媒质的分别为 , , 媒质1 媒质2 （1） 的边界条件 如图所示，在分界面上取一个小的柱形闭合面，其上下底面与分界面平行. 在柱形闭合面上应用高斯定律： 则 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处产生了突变 （2） 的边界条件 与上图类似，应用高斯定律得： 当 时， 的法向分量变为连续。 即 此式即为 的法向边界条件，它表明： 的法向分量在分界面处总是连续的。 （3） 的边界条件 与上图类似，由电流连续性原理 可得 说明：当分界面处电荷面密度发生变化时，其电流密度的法向