N沟道耗尽型场效管的特性曲线测定.docVIP

半导体物理与器件实验报告 专业 班级 1班 指导教师 姓名 实验时间 2014 年 6 月 18 日 实验地点 实验三：N沟道耗尽型场效应管的特性曲线测定 实验预习报告 实验目的： 1、熟悉YB4810型图示仪的面板装置及其操作方法 2、掌握功率场效应管的工作原理 3、理解N型沟道耗尽型场效应管的输入、输出特性曲线 4、了解功率场效应管的主要参数。 实验仪器： YB4810型晶体管特性图示仪；N型沟道场效应管3DJ7G,；P型沟道场效应管2SJ325 实验原理： 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。 1、功率场效应管的结构和工作原理 功率场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N