数字电路 第 章 集成逻辑门.pptVIP

概述 开关特性曲线 正向特性 反向特性 开关等效电路 瞬态开关特性 反向恢复时间 反向、正向恢复时间 串联限幅电路 限幅电平为VREF1的串联下限幅 串联双向限幅 并联限幅电路 钳位条件 发现问题(p61) 二极管与门 二极管或门 三极管稳态开关特性 电压传输特性 稳态工作状态 NPN型三极管工作状态特点 三极管开关电路稳态分析举例 稳态等效电路 开关条件分析举例 三极管瞬态开关特性 三极管瞬态开关特性的参数 三极管瞬态开关特性的参数 实际的反相器或“非门”电路 稳态分析 稳态分析 稳态分析 瞬态分析 瞬态分析 反相器的负载能力 灌电流负载 拉电流负载 3.2 TTL 集成逻辑门 DTL 集成逻辑门电路 一、TTL与非门电路组成 多发射极晶体管结构及等效电路 二、TTL与非门电路工作原理 TTL与非门电路的工作状态 三、推拉式输出电路和多发射极晶体管的作用 推拉式输出级带负载能力强 3.2.2 TTL与非门的特性与参数 TTL与非门的主要参数 开门电平UON和关门电平UOFF 噪声容限UNL、UNH TTL与非门的输入特性 TTL与非门的输入负载特性 TTL与非门的输出特性 TTL与非门的平均延迟时间tpd TTL与非门的功耗 TTL与非门的扇入系数和扇出系数 归纳主要参数： TTL或非门 TTL异或门 集电极开路的TTL与非门（OC门） 一般TTL门电路输出端不能直接并联 集电极开路门Open Collector（OC门） 外接“上拉电阻RL” 合理选择RL (2) OC门的应用。 实现电平匹配 驱动非逻辑性负载 实现“与或非”运算。 TTL三态输出门工作过程 第三状态——高阻态、禁止态 控制端低电平有效 三态门的应用 CT54H/74H系列 CT54S/74S系列 抗饱和晶体管 ECL电路的特点 ECL门电路 I2L电路的特点 以恒流源供电的非门为基本单元 多集电极I2L电路 I2L逻辑门举例 肖特基I2L电路基本单元 MOS晶体管 MOS管输出特性曲线 MOS管的三个工作区域 MOS管转移特性 MOS管开关电路 MOS管开关等效电路 E/E MOS反向器 E/E MOS与非门、或非门电路 E/E MOS与门、或门电路 E/D MOS反相器 N沟道耗尽型MOS管特性曲线 E/D MOS 反相器负载线的图解分析 E/D MOS 逻辑门电路 CMOS反相器 CMOS反相器工作原理 CMOS反相器的主要特性 CMOS反相器的电流传输特性 CMOS反相器的主要特性分析 CMOS反相器的特点 输入端结构及输入特性 低电平输出特性 高电平输出特性 CMOS传输门 CMOS传输门工作过程 传输门高、低电平传输情况 传输门用作模拟开关 CMOS逻辑门电路 CMOS或非门 带缓冲级的CMOS与非门 三态输出CMOS门 三态输出CMOS门结构之二 三态输出CMOS门结构之三 漏极开路输出门(OD门) BiCMOS门电路 BiCMOS与非门 CMOS电路的使用注意 3.6 TTL门电路和CMOS门电路的相互连接 1. TTL门驱动CMOS门 2. CMOS门驱动TTL门 补充：TTL集成门电路使用注意事项 与(非)门多余输入端的三种处理方法 或(非)门多余输入端的三种处理方法 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 vi uo G D S RD +VDD G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 vi VGS(th)N vo=+VDD 导通状态 vi VGS(th)N vo≈0 N沟道增强型MOS管: 导通条件： vGS VGS(th)N0 截止条件： vGS VGS(th)N P沟道增强型MOS 管: 导通条件： vGSVGS(th)P0 截止条件： vGS VGS(th)P 增强型MOS管开关条件 1 E/E MOS反向器及逻辑门电路 E/E MOS反向器 E/E MOS反向器的图解分析 E/E MOS与非门、或非门电路 E/E MOS与门、或门电路 2 E/D MOS反相器及逻辑门电路 E/D MOS反相器 N沟道耗尽型MOS管特性曲线 E/D MOS 反相器负载线的图解分析 E/D MOS 逻辑门电路 CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串接组成。 P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管（开关管） 它们的开启电压分别是： VGS(th)P＜0，VGS(th)N＞0。 当vI=0 V时，vGSN=0 V，开关管TO截止，vGSP= –VDD，负载管TL导通，输出vO≈VDD。 当vI=VDD时，vGSN=VDD，开关管TO导通，vGSP=0 V，负载管TL截止，输出vO≈0 V。 1、 电压