刮涂法制作GPP二极管芯片工艺技术.docVIP

刮涂法制作GPP二极管芯片工艺技术 这种方法是将丁基卡必醇乙酸乙酯和醋酸纤维按一定比例（一般为２％，具体可视膜厚要求定）配制粘合剂，然后加入玻璃粉配制成玻璃乳浆。操作时只要用医用刀片将玻璃乳浆刮入开好沟道的台面即可。由于这种方法工艺简单，不需要任何复杂设备，重复也好。并且能用来制造较厚的玻璃钝化膜，尤其适合于台面型功率器件，如大功率高电压器件和电力电子器件等。目前大多数半导体功率器件芯片玻璃钝化工艺均采用这种刀片刮涂法。但缺点是膜厚均匀性差，玻璃浆中的结块等异常情况工艺本身无法加以剔除，刮涂时不锈钢刀片容易损伤硅片的表面结构；钝化结束后，片子表面存在一层钝化玻璃，需用ＨＦ腐蚀或机械方法去除，这都会给钝化层带来不良影响。刀片刮涂法制作玻璃钝化二极管芯片的工艺流程如下： 选择硅片→?硅片清洗→?磷预淀积→?单面喷砂（减薄）→?硼扩散及磷再分布→双面喷砂去氧化层→?氮气或氧气退火（需要时）→?铂扩散及扩散后的表面腐蚀处理和清洗（需要时）→V型槽台面腐蚀→?生长二氧化硅膜或LPCVD淀积氮化硅膜（钝化保护）→?玻璃钝化→ＨＦ漂洗（腐蚀）硅表面→?双面镀镍（电极）→?晶圆划片－→分片、清洗、包装。主要相关生产工艺介绍如下： 1、挑选具有合适电阻率和厚度的N型硅单晶片 采用N型直拉单晶硅。硅片电阻率：15-20、20-25Ω·cm，选择原始硅片厚度约270±10?m；电阻率25-30、30-35、35-40、40-45、45-50Ω·cm，应选择厚度约290±10?m；以上电阻率所对应的击穿电压VR大约为：600-900、900-1100、1000-1200、1200-1400、1400-1600、1500-1600、1600-1700。 2、硅片的清洗 硅片表面清洗是制造半导体器件的重要环节，用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，使其表面洁净并烘干。 清洗过程：3号液腐蚀3-5分钟－→1号液煮沸2－3分钟－→2号液煮沸2－3分钟－→超纯水冲洗。 ⑴ 1号液配比：氨水：H2O2：超纯水＝1：2：5； ⑵ 2号液配比：HCI：H2O2：超纯水＝1：2：8； ⑶ 3号液配比：硝酸：氢氟酸：冰醋酸=3：3：1。 最后用HF:H2O＝1：10漂10－20秒，除去硅片表面自然氧化层，用超纯水冲洗、烘干备用。 3、磷预淀积扩散 磷源：美国Filmtronics公司P60纸质源。 在每两片硅片中间放一张磷源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中。在洁净的石英管内，经过1220℃高温2小时左右，使磷原子扩散到硅片内。磷表面方块电阻0.1Ω/□、Xjn≈20?m。磷预沉积结束后，硅片会黏结成圆柱形。 4、磷扩散片泡酸分离及喷砂减薄 ⑴?将此“圆柱体”浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片互相分离开； ⑵?硅片经自来水清洗后，喷砂去除未附磷纸那一面的扩散层，同时减薄硅片去除约15?m； ⑶?用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，去除硅片表面的缺陷，金属杂质，可动离子和有机物，使其表面洁净并烘干。 5、硼扩散及磷再分布扩散 硼源：a、 美国Filmtronics公司B40纸质源；b、?无水乙醇∶硝酸铝∶三氧化二硼＝150：5：8。 ⑴?第一种硼源是在磷面背靠背的两片喷砂面中间放一张硼源纸，将硅片排列整齐并压紧在石英舟中； 第二种磷源是在喷砂面涂覆（喷涂法或旋敷涂法）一层溶有三氧化二硼和硝酸铝的混合溶剂，烘烤后再次排放在石英舟中并压紧； ⑵?在专用石英管中，经过1250℃高温21～35小时进行硼（或含铝）的扩散。同时，进行磷的再分布扩散； ⑶?扩散后检测扩散结深和掺杂浓度。硼表面方块电阻0.1Ω/□、Xjn≈60?m；结深：Xjp 45～90?m（扩硼）或60～110?m（扩硼铝）； ⑷?基区宽度控制在大约100?m左右。 6、硼扩散片泡酸分离及喷砂去氧化层 ⑴?再次将此硼扩散“圆柱体”浸泡在氢氟酸中，数天后使硅片互相分离开。 ⑵?经自来水清洗后，双面喷砂去除约10?m两面的磷、硼扩散形成的氧化层。 ⑶?用混合酸、清洗剂和纯水在清洗槽或超声波清洗机内清洗硅片，使其表面洁净并烘干。 7、光刻沟槽 ⑴?预烘。所有硅片在甩胶前需在175℃烘箱内预烘60分钟； ⑵?甩胶。在转盘上放置硅片，在硅片表面上滴入适量SC450cp,按下真空开关开始甩胶。第一步低速匀胶：转速800转、时间10秒；第二步高速甩胶：转速1500～2000转、时间10～15秒； ⑶?前烘。将甩胶好的片子装入载片盒放入85℃烘箱内预烘10分钟，再置入110℃胶膜前烘箱内烘30分钟； ⑷?曝光。光强度500毫焦/平方厘米、时间30～45秒； ⑸?显影。将曝光好的片子装入载片盒放入显影缸中显影45秒，再置入定影缸中定影30秒。注意：显影时应来回晃动载片盒数次； ⑹?坚膜。显影后将硅