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利用PN结Vf-T特性测温 曾 刚 杨宏春 （电子科技大学物理电子学院 成都 610054） 摘要：给出PN结正向压降随温度变化的关系，针对几种常用型号的双极型三极管进行了实测，在材料允许的温度范围内，恒定正向电流下，Vf与温度保持良好的线性关系并具有很好的灵敏度。文章并给出用PN结作传感器的数字化温度测控电路实例。 关键词：PN结，温度传感器，测温 中图分类号：TN 美国在上世纪60年代提出利用半导体二极管和三极管作温度计的设想。利用Si三极管，美国研制成功了在－50℃～120℃范围，精度0.1℃，1000天温漂 ±0.02℃的精密温度计；利用GaAs二极管制成的温度计深入到1K的深低温；利用发光二极管芯片制成4－400K温区的温度计，分辨率1／100，25K以下相应时间小于1mS。80年代国内的一些科研单位也进行相关研究。中科院物理所对国产GaAs二极管低温性能进行调查，在4.2K附近灵敏度高于400mV/K，10K以下约300mV/K，复现性优于0.05K；北京机械工业自动化研究所发明的α——碳化硅PN结宽温区高线性度测温技术，制造出可以工作在500℃以上的高温半导体PN结温度传感器。现在PN结温度传感器正向着扩大测量范围、提高测量精度、提高互换性、数字化、集成化方向努力。 一 PN结Vf-T特性 由PN结电流方程 （1） 式中 If 正向电流；q电子电荷；A结面积；nP，pN P区中电子浓度和N区中空穴浓度； Dn, Dp 电子和空穴的扩散系数； Ln，Lp 电子和空穴的扩散长度； Vf 为结正向压降； K 玻耳兹曼常数； T 绝对温度。 （1）式中nP，pN可写成 式中 C为常数，与参杂无关；Vg为本征材料的禁带宽，代入（1），注意到爱因斯坦关系Dn μnkT/q， （2） 其中 式中 μn、μp为电子和空穴的迁移率；τn、τp为非平衡载流子平均寿命。 常温下（T 300K），q/KT≈26mV，而Vf 26mV，略去（2）中的常数1，考虑到Vg也是随温度变化的量，Vg Vg0+βT，Vg0为绝对零度时的禁带宽，β为对应的温度系数，将其代入（2）。两边取对数 （3） 这就是Vf-T关系。当正向电流If恒定时，Vf-T非线性误差主要来自上式右侧第三项。由（其中G为线性项贡献的灵敏度）及可知，在实际测量范围内且If较小（ 10-4A）时，非线性项的影响不大，尤其当温度较高时。同时得知正向电流If小，灵敏度高，这也为实验所证实。 温度很低时，杂质电离发生困难（此时所测得的压降将是结的正向压降和材料欧姆电阻压降之和），掺浅能级杂质有利于低温下的应用。 温度很高时，本征激发明显，式（3）不再适用。根据本征激发载流子浓度可知，在同样温度下，禁带宽越大的材料，本征激发的载流子浓度越低，说明在高温区有较宽的线性范围。常温下Ge的Eg 0.72eV，高温上限60℃，Si的Eg 1.12eV，高温上限250℃，GaAs的Eg 1.45eV，上限高于350℃。同时也说明，高温区的非线性主要来自反向电流的影响。 二 实验结果 选择国产晶体管3DG6C、3DK2B、3DG182G、3DG202芯片及北京半导体六厂试制的PNT进行实测。实验装置：501型超级恒温器（精度1／15℃）；标准水银温度计（0～50℃，50～100℃，最大误差0.05℃）；6 1/2数字电压表（0.1mV）；校准的50/100/400μA电流表。结果数据见表。 1连续32小时，间隔30分钟测量，T 64.3℃ 考察稳定性（见表一） 表一 型号 If μA ΔIf μA ΔT ℃ Vf mV ΔVf mV 3DG6C 1 48.0 -0.1 0.17 5438.4 +0.7 –0.8 3DG6C 2 17.10 -0.05 0.17 5148.6 +0.5 –1.1 3DK2B 140.0 -0.01 0.17 5747.3 +0.3 –0.5 2CP23 60.0 0.00 0.14 3507.6 +0.6 –1.1 2．灵敏度考察 摘取两组数据，计算对应测温区间的灵敏度αi列表 表二 ，最后列给出灵敏度平均值 mV/℃ 。 表二 灵敏度考察 0.0- 4.2 4.2- 8.1 8.1- 14.8 14.8- 20.0 20.0- 30.7 30.7- 40.8 40.8- 50.6 50.6- 60.6 60.6- 70.5 70.5- 79.0 79.0- 89.1 89.1- 95.5 3DG6 10 -2.21 -2.23 -2.22 -2.26 -2.28 -2.25 -2.26 -2.29 -2.30 -2.30 -2.31 -2.31 -2.27 100 -1.95 -1.95 -