电工电子技术电子课件第11章三极管及其放大电路.ppt

第1章 直流电路 第1章 直流电路 11.5.2互补对称的功率放大电路 当输入信号ui=0时，电路处于静态，两个管子都不导通，没有静态电流，功率损耗为零。 当ui正半周期时，V1管导通，V2管截止，V1管子上有静态电流，输入信号通过V1管子进行放大，从发射极输出，负载RL得到输出电压uo（正弦波的正半周期）。 当ui负半周期时，V2管导通，V1截止V1管子上有静态电流，，输入信号通过V2管子进行放大，从发射极输出，负载RL得到输出电压uo（正弦波的负半周期）。 （2）主要性能指标 ①最大输出功率 是指电路的最大不失真输出功率。 ②直流电源供给功率 根据付氏级数分解，周期性半波电流的平均值 ③管耗 （3）最大效率 11.5.2互补对称的功率放大电路 （5）功放管的选择 ①功率放大管集电极的最大允许功耗 ②功放管的最大耐压U（BR）CEO 在功放电路中，当一只管子饱和导通时，另一只管子将承受最大反向电压为2VCC， 所以要求功放管最大耐压为 ③功放管的最大集电极电流  11.5.2互补对称的功率放大电路 解：（1）最大输出功率 （2） （3） 例：OCL电路的 ，负载 ，功放管如何选择？ 11.5.2互补对称的功率放大电路 2．甲乙类双电源互补对称功率放大器（OCL电路） 交越失真 3．甲乙类单电源互补对称功率放大器（OTL电路） 11.5.2互补对称的功率放大电路 * 11.1双极型半导体三极管 11.1.1晶体管的的基本结构 三极管的种类很多,按工作频率分可以分为低频管和高频管，按功率大小可以分为小功率管、中功率管和大功率管，按所用半导体材料分为硅管和锗管，按导电类型分为PNP型和NPN型，按结构和工艺分为合金型和平面型等。 三极管包含两个PN结，但不能简单的看成由个PN结的组合，因为其结构具有如下特点： 发射区杂质浓度远大于基区的杂质浓度。 基区很薄，杂质浓度很低。 集电结的面积比发射结的面积要大。 因此发射区和集电区不能对调，这种结构也使得晶体管具备了放大的能力。 11.1.2三极管对电流的分配关系及放大能力 （1）发射极电流等于基极电流和集电极电流之和， 即:IE=IB+IC （2）集电极电流IC是基极电流IB的倍, 称为直流放大系数。 （3）我们把ΔIC与ΔIB的比值称为晶体管的交流放大系数β。即： 11.1.1晶体管的的基本结构 下面NPN型为例，用晶体管的内部载流子的运动来解释晶体管对电流的放大作用。 有助于扩散运动的进行，发射区（N区）的自由电子更容易的向基区（P区）扩散与基区（P区）的空穴复合，三极管的发射区掺杂浓度比较高，其多数载流子自由电子浓度比较高，因此形成较大的扩散电流IE。由于基区做得很薄，能与空穴复合的自由电子数量很少，因此形成很小的IB，而大量扩散过来的自由电子堆积在基区与集电区的边缘，使基区的少数载流子（自由电子）浓度升高。又由于集电结上加了反向电压，使集电结的内电压加强，有助于少数载流子的漂移运动，因此堆积在集电结边缘的自由电子大量漂移过集电结而为集电结所收集，而形成集电结电流IC。 11.1.2三极管对电流的分配关系及放大能力 11.1.3特性曲线 测试电路 输入特性 1．输入特性曲线 UCE=常数 uCE 曲线右移 uCE1 曲线重合 2．输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流iB为常数时，集电极电流iC与集电极-发射极电压uCE之间的关系曲线，即： （1）放大区 晶体管进入放大工作状态的条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 （2）截止区 晶体管进入截止区的条件是：发射结反偏，集电结反偏。截止区是iB=0曲线以下的区域。由于集电结和发射结均反偏，此时三极管各极电流均很小（接近或等于零），三个电极e、c、b相当开路。 （3）饱和区 晶体管进入饱和工作状态的条件是：发射结正偏，集电结也正偏。 11.1.3特性曲线 11.1.4主要参数 1．共射极电流放大系数 （1）直流放大系数在静态时IC与IB的比值称为直流电流放大系数，也称为静态电流放大系数。 （2）交流放大系数β 在动态时，基极电流的变化增量为ΔIB，它引集电极电流的变化境量为ΔIC。ΔIC与的ΔIB比值。 一般与在数值相近，基本上可以认为相等，以后只要用表示。一般为20-150之间，目前工艺已能制造为300-400的低噪声管。 2．极间反向电流 表征三极管工作稳定性的参数。极间反向电流受温度影响很大，使用中希望这类电流越小越好。 （1）集电极反向饱和电流ICBO ICBO是指三极管发射极开路，集电极和基极之间加反向电压时流过集电结的反向电流。小功率的