CIGS铜铟合金薄膜的制备及其后硒化处理预案.ppt

谢谢指导！ * * * 这表明采用共溅射制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的Cu单质和In单质的叠加，而是已经形成化合物Cu11In9。对该合金进行能谱分析，其Cu/In比为0.868，与Cu11In9原子比例不符，可能合金中有其他少量化合物没有检测出来，如CuIn2。 * 这表明采用共溅射制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的Cu单质和In单质的叠加，而是已经形成化合物Cu11In9。对该合金进行能谱分析，其Cu/In比为0.868，与Cu11In9原子比例不符，可能合金中有其他少量化合物没有检测出来，如CuIn2。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 这表明采用共溅射制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的Cu单质和In单质的叠加，而是已经形成化合物Cu11In9。对该合金进行能谱分析，其Cu/In比为0.868，与Cu11In9原子比例不符，可能合金中有其他少量化合物没有检测出来，如CuIn2。 * 这表明采用共溅射制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的Cu单质和In单质的叠加，而是已经形成化合物Cu11In9。对该合金进行能谱分析，其Cu/In比为0.868，与Cu11In9原子比例不符，可能合金中有其他少量化合物没有检测出来，如CuIn2。 * 这表明采用共溅射制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的Cu单质和In单质的叠加，而是已经形成化合物Cu11In9。对该合金进行能谱分析，其Cu/In比为0.868，与Cu11In9原子比例不符，可能合金中有其他少量化合物没有检测出来，如CuIn2。 * 铜铟合金薄膜的制备及其后硒化处理 张坤 2010-01-17 研 究 背 景 1 1 结 果 与 讨 论 1 3 下 一 步 工 作 计 划 1 4 实 验 研 究 1 2 CuIn1-xGaxSe2薄膜太阳电池结构 结构：由背电极、吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极构成。 基底: 玻璃 吸收层, CIGSS, 1-2 μm 背电极, Mo, 1μm 窗口层, ZnO, 0.5μm 缓冲层, CdS, 50nm 一.研究背景 电化学沉积法制备CIGS因其低温廉价而成为我们太阳能组的研究重点 。但是由于刻蚀剂的原因，极大限制了我们在电沉积器件方面的研究； 本学期我们尝试采用溅射铜铟合金后硒化法制CuInSe2， 目的是获得一定效率器件（本实验由我和秦勤共同完成）。 一.研究背景 二.实验研究 Cu-In合金预制层的制备； 金属预制层后硒化 双温区管式气氛炉金属预制层硒化 金属预制层蒸镀硒后快速热处理 溅射功率对Cu-In合金成分的影响 Cu，In靶溅射功率的选择 合金的Cu/In比在一定程度上与靶材溅射功率比成线性关系； 选取Cu靶功率为20W，In靶功率为47W，可以获得成分理想的预制层。 三.实验结果与讨论 Cu-In合金预制层工艺探索 溅射时间对Cu-In合金薄膜厚度的影响 时间/min 10 20 30 40 50 薄膜厚度/nm 293 412 534 587 616 溅射时间与薄膜厚度关系 薄膜的厚度与溅射时间成一定正比关系 选取40min作为溅射时间，即可获得接近600nm的预制层 Cu-In合金预制层工艺探索 Cu-In合金薄膜XRD分析 在40.40°和73.00°的强峰代表Mo峰 在29.45°和42.07°的位置上的峰对应于Cu11In9相 表明采用共溅射方法制备Cu-In合金时，合金成分并非简单的单质Cu和单质In的叠加，而是已经形成合金化合物 Cu-In合金预制层工艺探索 Cu-In合金薄膜SEM分析 合金表面致密平整，说明此工艺条件下制备的预制层已达到进行后硒化实验标准。 Cu-In合金预制层工艺探索 硒化工艺探索 双温区管式气氛炉硒化工艺探索-1 衬底温度 硒源温度 选择衬底温度为550℃；硒源温度为250℃，升温速度为10℃/min；硒化时间为40min 硒化工艺探索 双温区管式气氛炉硒化工艺探索-1 CIS薄膜不均匀，有脱膜现象 In损失严重,Se含量严重不足 程序降温，控制降温速度 提高硒源温度，以增加Se气压 结果 对策 硒化工艺探索 双温区管式气氛炉硒化工艺探索-2 衬底温度 硒源温度 衬底温度为550℃；改变硒源温度为300℃；硒化时间为40min,控制降温速度10℃/min降到250℃ 硒化工艺探索 双温区管式气氛炉硒化工艺探索-2 Cu2-xSe杂相 降低衬底温度，以减少In损失及改善脱膜现象 采用分段升温法 轻微脱膜现象，采取程序降温在一定程度上可以