第23章固体的量子理论.docVIP

第二十三章 固体的量子理论 一、选择题 1、与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是 A 导带也是空带． B 满带与导带重合． C 满带中总是有空穴，导带中总是有电子． D 禁带宽度较窄． ［ D ］ 2、下述说法中，正确的是 A 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体 n型或p型 只有一种载流子 电子或空穴 参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好． B n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电． C n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带 导带 的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能． D p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动． ［ C ］ 3、如果 1 锗用锑 五价元素 掺杂， 2 硅用铝 三价元素 掺杂，则分别获得的半导体属于下述类型： A 1 ， 2 均为n型半导体． B 1 为n型半导体， 2 为p型半导体． C 1 为p型半导体， 2 为n型半导体． D 1 ， 2 均为p型半导体． ［ B ］ 4、p型半导体中杂质原子所形成的局部能级 也称受主能级 ，在能带结构中应处于 A 满带中． B 导带中． C 禁带中，但接近满带顶． D 禁带中，但接近导带底． ［ C ］ 5、 n型半导体中杂质原子所形成的局部能级 也称施主能级 ，在能带结构中应处于 A 满带中． B 导带中． C 禁带中，但接近满带顶． D 禁带中，但接近导带底．［ D ］ 6、激发本征半导体中传导电子的几种方法有 1 热激发， 2 光激发， 3 用三价元素掺杂， 4 用五价元素掺杂．对于纯锗和纯硅这类本征半导体，在上述方法中能激发其传导电子的只有 A 1 和 2 ． B 3 和 4 ． C 1 2 和 3 ． D 1 2 和 4 ． ［ D ］ 7、附图是导体、半导体、绝缘体在热力学温度T 0 K时的能带结构图．其中属于绝缘体的能带结构是 A 1 ． B 2 ． C 1 ， 3 ． D 3 ． E 4 ． ［ A ］ 8、硫化镉 CdS 晶体的禁带宽度为2.42 eV，要使这种晶体产生本征光电导，入射到晶体上的光的波长不能大于 A 650 nm． 1 nm 10?9 m B 628 nm． C 550 nm． D 514 nm． ［ D ］ 普朗克常量h 6.63×10-34 J·s，基本电荷e 1.60×10-19 C 二、填空题 1、如图是 型半导体的能带结构图。 答案：n 2、如图是 _型半导体的能带结构图。 答案：p 3、纯净锗吸收辐射的最大波长为??＝1.9 ?m，锗的禁带宽度为__________ eV。 答案：0.65 4、若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成______型半导体。 答案：n 5、若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则参与导电的多数载流子是_______． 答案：电子 6、太阳能电池中，本征半导体锗的禁带宽度是0.67 eV，它能吸收的辐射的最大波长是________________×103 nm。 普朗克常量h 6.63×10-34 J·s，1 eV 1.60×10-19 J 答案：1.85 7、本征半导体硅的禁带宽度是1.14 eV，它能吸收的辐射的最大波长是______×103 nm． （普朗克常量h 6.63×10-34 J·s，1 eV 1.60×10-19 J） 答案：1.09 8、已知T 0 K时锗的禁带宽度为0.78 eV，则锗能吸收的辐射的最长波长是______?m． 普朗克常量h 6.63×10-34 J·s，1 eV 1.60×10-19 J 答案：1.59 9、纯硅在T 0 K时能吸收的辐射最长的波长是1.09 ?m，故硅的禁带宽度为______eV． 普朗克常量h 6.63×10-34 J·s，1 eV 1.60×10-19 J 答案：1.14