半导体器件原理简教程习题答案傅兴华.docVIP

半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力. 由能带图可知,Ge与Si为间接带隙半导体,Si的Eg比Ge的Rg大，所以.GaAs为直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说. 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料1的禁带宽度为1.1eV,材料2的禁带宽度为3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度: 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 0 在高温环境下更合适 1.11 在300K下硅中电子浓度,计算硅中空穴浓度,画出半导体能带图,判断该半导体是n型还是p型半导体. 解 是p型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为,计算在300K下的载流子浓度和,计算费米能级相对于本征费米能级的位置,画出能带图. 解 T=300K→ 该半导体是p型半导体 1.27 砷化镓中施主杂质浓度为，分别计算T=300K、4