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- 2017-06-12 发布于浙江
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屡烧行管缘由剖析与检修屡烧行管缘由剖析与检修
屡烧行管缘由剖析与检修屡烧行管缘由剖析与检修
依据行管击穿的缺点类型分依据行管击穿的缺点类型分::1、过压击穿 2、过流击穿 依据行管击穿的缺点类型分依据行管击穿的缺点类型分::行管损坏后,我们在拆下行管,可以运用万用表测量其静态电阻,假设 CE阻 ...依据行管击穿的缺点类型分依据行管击穿的缺点类型分::1、过压击穿 2、过流击穿 依据行管击穿的缺点类型分依据行管击穿的缺点类型分::行管损坏后,我们在拆下行管,可以运用万用表测量其静态电阻,假设 CE阻值在数百欧姆,行管普通是在运用进程中,过流后过热渐渐烧毁,在烧毁之前需求有一定的时间积聚。?假设 CE阻值在数欧姆,此类状况是行管过压烧毁,少数都是瞬间不测突然烧毁的,在烧毁之前没有异常征兆,或许是开机即烧行管,或许是运用几天也没有效果但没有规律某次开机时突然烧行管。 行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法:: 行管击穿维修的检修方法行管击穿维修的检修方法::1、? 电流监测法 检测点:在+45V或+51V或+190V开关变压器二次供电输入电容处,二次供电调整管滤波电容处,行包初级线圈后。?2、? 电压测量法 显示器的行激励供电由于显示器设计不同,有取自+12V,+45V,+80V等几种,显示器的行管有运用双极型的,也有运用场效应管的。 假设不好找对应型号,可以思索直接运用 IRF630,在代换行激励管后,最好运用示波器测量一下波形,同时长时间监测一下行管的温升。 3、? 波形检测对比法 行场 IC 的 HOUT 端,行激励管的 C 极,行激励变压器的 34 脚,行管的 B极,行管的 C 极 要留意测量方法 。这些关键点的波形普通是固定的,假设某点VPP 值变低或变高,都会形成行管激励缺乏或过激励而烧毁行管。假设某点的波形畸变,也会形成行管过流,长时间运用过热烧毁。经过波形检测,可以迅速定位缺点点,找出缺点缘由。 4、? 温度测量法 主要用于改换行管后,对行管的温度停止长时间监控,普通行管延续运用两70 度以下,基本都可以运用。留意测个小时以上,行管的温度不上升,坚持在量时,要盖上后盖,不开盖的形状测量与盖盖测量温度会有不小的差异,要测量时要留意与实践运用环境温度相当。 5、? 元件交流扫除法 关于判别行逆程电容容量减小的缺点,可以采用电容并联法。 关于行管发热量大的效果,可以选用几个不同的行管(三代,四代,五代)?的行管停止交流,区分测试行电流大小和发热量,温升最小的选用。行管击穿的缘由分类行管击穿的缘由分类:: 行管击穿的缘由分类行管击穿的缘由分类::1、? 开关电源输入电压偏高 由于电源稳压系统出现缺点,不能稳压,招致 B+电压上升。假设 B+电压超越 10%以上,会发生行管击穿损坏现象。这时应重点反省取样电路,误差缩小器和脉宽控制电路的元件。另外,若电网电压太高,超越了开关电源允许的稳压值范围,也会形成开关电源输入电压偏高。 2、? 二次供电稳压电路异常,招致二次供电过高 正常状况下,显示器开机时,由于缓启动电路的存在,B+的电压是渐渐降低,而不是开机后直接跳为高电压。假设缓启动电容失容损坏,就会形成开机时电压立刻跳升,同时电压不稳,容易形成烧行管。 还有,二次供电采样电压路和稳压电路元器件损坏,也会造民二次供电异常。?3、? 行偏转线圈或行输入变压器局部短路 行偏转线圈奩行输入变压器发热后,因漆包线的绝缘功用下降而发生局部短路,假设维护电路功用不佳,则会惹起行管损坏。这时可与同型号正常机器相比拟,经过测量行输入级电流来判别。假设开机瞬间马上烧坏行管,此时用手摸散热片的温度较高,则说明是行偏转线圈或行输入变压器有短路,惹起行管过流击穿。4、? 行频过低 由于流过行偏转线圈电流的最大值与行正程扫描时间成正比,即行频越低,周期越长,行正程时间相应变长,结果使行偏转电流上升,当超越行管所接受的电流最大值时,运用行管烧坏。因此,在调整行频时,应防止运用行频临时处于偏低形状。显示器的行频是由 MCU检测行场信号后,依据显示形式自动切换发生,普通不会出现行频过低现象。?5、? 行逆程时间过短 内行逆程时期,会发生很高的反峰脉冲电压,这就要求行逆程电容,行输入管,阻尼二极管等元件具有很高的耐压才干。当行逆程电容容质变小,失效或开路时,反峰脉冲电压上升,一旦超越行管的耐压值,就会出现行管换一只烧一只的结果。此时,迅速用手摸行管的散热片,若温度与未开机前差不多,则说明是由于逆程电容开路而惹起的过压击穿。 处置方法:是将行逆程电容全部换新。 6、? 行激励缺乏 假设行鼓舞缺乏,行管不能迅速饱和,招致行管内阻变大,运用行扫描线性变差;假设行鼓舞缺乏,行管不能迅速地截止,运用行管长时间地处于有电流流过的不正常任
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