半导体器件的基本特性技术总结.ppt

要理解这些特性，就必须从半导体的原子结构谈起。半导体的导电能力与价电子密切相关，所以为了突出价电子的作用，我们采用下图所示的简化原子结构模型。 由以上分析可知，本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，而另一种载流子少。对于多子，通过控制掺杂可严格控制其浓度，而温度变化对其影响很小；对于少子，主要由本征激发决定，因掺杂使其浓度大大减小，但温度变化时，由于ni的变化，会使少子浓度有明显变化。 半导体中有两种载流子——电子和空穴，当外加电场时，电子逆电场方向作定向运动，形成电子电流In ，而空穴顺电场方向作定向运动，形成空穴电流Ip 。虽然它们运动的方向相反，但是电子带负电，其电流方向与运动方向相反，所以In和Ip的方向是一致的，均为空穴流动的方向。因此，半导体中的总电流为两者之和，即 I=In+Ip 漂移电流的大小将由半导体中载流子浓度、迁移速度及外加电场的强度等因素决定。 通过掺杂工艺，把本征硅(或锗)片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，这样在它们的交界面处会形成一个很薄的特殊物理层，称为PN结。PN结是构造半导体器件的基本单元。其中，最简单的晶体二极管就是由PN结构成的。因此，讨论PN结的特性实际上就是讨论晶体二极管的特性。 P型半导体和N型半导体有机地结合在一起时，因为P区一侧空穴多，N区一侧电子多，所以在它们的界面处存在空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。上述过程如图3–2(a)所示。结果在界面的两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区，如图3–2(b)所示。 开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，界面两侧显露出的正、负离子逐渐增多，空间电荷区增宽，使内电场不断增强，于是漂移运动随之增强，而扩散运动相对减弱。最后，因浓度差而产生的扩散力被电场力所抵消，使扩散和漂移运动达到动态平衡。这时，虽然扩散和漂移仍在不断进行，但通过界面的净载流子数为零。平衡时，空间电荷区的宽度一定，UB也保持一定，如下图所示。由于空间电荷区内没有载流子，所以空间电荷区也称为耗尽区(层)。又因为空间电荷区的内电场对扩散有阻挡作用，好像壁垒一样，所以又称它为阻挡区或势垒区。 2.全波整流电路 全波整流电路输入波形的正负半周都得到利用，整流效率最高。一般采用桥堆进行整流，四个二极管两两交替导通起开关作用。 D4 D2 D1 D3 + ? ~ ~ ~+~- 桥堆内部电路 桥堆典型封装 + _ ui n:1 ? ? + _ uO RL D4 D2 D1 D3 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 全波整流电路 带输入变压器的全波整流电路 简化电路 输入电压为正半周时，D1D3导通， D2D4截止。 输入电压为负半周时，D2D4导通， D1D3截止。 全波整流电路整流原理 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? 正半周 D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? 负半周 输入电压的正负半周都有电流流过负载而且电流方向一致（单向脉动）。 uo 0 u2 0 t w t w 输出电压 u0的直流分量： 负载平均电流为： 每个二极管中流过的电流是负载电流的一半。选择整流二极管要求最大整流电流满足： u2 u0 0 0 ?t ?t D4 D2 D1 D3 RL ? + u2 uO + ? o o L U I R = o I u1 0 ?t 一对二极管在反向截止时，每个管子承受的电压都是变压器副边电压的峰值，选择整流二极管时要求反向工作峰值电压满足： + _ u1 n:1 ? ? + _ uO RL D4 D2 D1 D3 2 2m RWM 2 U U U = 2．模型分析法应用举例 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时， （自看） （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 三种模型的计算精度比较 二极管的静态工作情况分析，求iD ①理想模型 ②恒压模型 ③折线模型 外加电压越高，计算精度误差越小。 设 : Vth=0.5V ; rd=0.2K? ( VON = 0.7V 硅二极管） R D V iD vD + – 10k? 10V NS D iD vD + – V 0 D = V mA D 1 /