半导体光电子学第3章_平板介质光波导理论技术总结.pptVIP

该连续性条件适用于任何时刻和所有的z值， 斯涅尔(Snell)折射定律。 (3.2 – 49) (3.2 – 51) (3.2 – 52) (3.2 – 9) (3.2 – 45) 利用表示磁场Hx与电场Ey的关系式(3.2 – 9)和入射场的公式(3.2 – 45)，可以得到 (3.2 – 54) 反射波和折射波与入射波振幅比值的关系式 ― 菲涅尔公式。 考虑到?0 = 1和k0/? = 1/c (3.2 – 55) 同样，可以将反射和透射波的磁场强度写为 (3.2 – 56) (3.2 – 57) 磁场在 x = 0 处的切向分量连续的条件为 (3.2 – 55) (3.2 – 56) (3.2 – 57) (3.2 – 58) 将式(3.2 – 55)、(3.2 – 56)和(3.2 – 57)代入式(3.2 – 58)，就得到 (3.2 – 59) 利用式(3.2 – 49)和式(3.2 – 51)，就可以得到反射波相对于入射波的电场振幅反射率或振幅反射系数 (3.2 – 49) (3.2 – 60) (3.2 – 51) 同样，利用式(3.2 – 49)和式(3.2 – 51)，可由式(3,2 – 59)得到电场的振幅透过率或振幅透射系数 (3.2 – 49) (3.2 – 51) (3.2 – 61) (3.2 – 60)和(3.2 – 61)为电场矢量垂直于人射面的菲涅尔公式。 (3.2 – 60) 可以看出，电场的振幅反射率和振幅透过率是入射角?i的函数 当光束垂直于界面入射，?i = 0，则由式(3.2 – 60)和式(3.2 – 61) (3.2 – 61) 电场矢量垂直于人射面的菲涅尔公式 (3.2 – 60) (3.2 – 62) 一般常用的是功率反射率而不是振幅反射率，因此应取式(3.2 – 62)的平方 (3.2 – 63) 在垂直入射下，式（ 3 . 2 一 61 ）变为 (3.2 – 61) 电场矢量垂直于人射面的菲涅尔公式 (3.2 – 60) (3.2 – 64) 由式(3.2 – 61)和式(3.2 -64)都可以看出，当光由光密介质向光疏介质入射时(n2 n1)，其振幅透过率 t 1。但可以证明，磁场的振幅透过率比较小，因此，总的功率(或能量)的透过率，仍小于1。 2．全反射 (3.2 – 60) 由式(3.2 – 60)可以看出，当光从折射率大的介质向折射率小的介质入射(n2 n1)时，随着入射角的增加，电场的振幅反射率也增加(因为cos?t下降的速度要比cos?i下降的速度快)，当入射角大到某一值时，振幅反射率迅速趋近于 1 ，这一现象被称为全反射。为了区分光从光疏介质入射到光密介质在一定条件(?i=90?)下所产生的“掠人射”，而把在某一入射角下光从光密介质向光疏介质传播，在界面上所产生的全反射称为全内反射，产生全内反射的入射角称为临界入射角或临界角。 (3.2 – 52) 从斯涅尔定律(3.2 – 52)求得全内反射的临界入射角，（达到全反射时，折射角?t = ?/2，这时的入射角为临界入射角 (3.2 – 65) 2．全反射 (3.2 – 60) (3.2 – 52) 当?i ?c时，由(3.2 – 52)，sin ?i 1 (3.2 – 66) 将其代入式（ 3 . 2 一 60 ）后取复数场反射率的平方，均能得到功率反射率 因此，只要满足?i ? ?c，都能产生光的全反射。 (3.2 – 60) 但另一方面，当?i = ?c时，由式(3.2 – 60)和(3.2 – 61)得到 (3.2 – 61) (3.2 – 67) 说明，即使是全反射，在折射率小的一侧介质中的电场并不为零。 还可以证明，在达到全反射条件时，磁场也不在界面上中断，而是渗入折射率小的一侧介质中，这种渗透的场即为前面所述的消失场． 从物理意义上讲，这种消失场是一种衰减场，因此式(3.2 – 66) 应该取负号，而将电场的复反射率写为 (3.2 – 66) (3.2 – 68) 令 (3.2 –70) (3.2 – 66) 由式(3.2 – 66)可以得到 (3.2 –69) (3.2 – 46) 将式(3.2 – 69)代入式(3.2 -46)就可得到全反射情况下消失场的表达式 (3.2 –71) 可以看出，消失场是一个沿透射方向随指数 exp(-?x)衰减的场，不过这种衰减不是由于介质的吸收引起的，而是因为所有的入射能量完全坡反射回光密介质中的缘故 。 3．反射相移和古斯 - 亨森(Goos – Hanchen)位移 光从光密介质向光疏介质入射，当入射角大于临界角入射时，发生入射能量的全反射。 但另一方面在深入光疏介质的一个很小(波长量级)的薄层内存在的消失场也为实验证实。 对这