半导体第十一讲光刻胶的进展技术总结.pptVIP

电子束光刻中，一个倍受关注的方面是因邻近效应引起的图形畸变 由于散射电子的倾向是将邻近的不想曝光的区域曝光。这种效应用电子束曝光比用光学曝光严重得多 为了降低这个展宽效应，大多数高分辨率的EBL是在薄的光刻胶中进行。然后，图形被转移到较厚的掩蔽层上，它可被用来获得预期的图形 针对给定的光刻胶，将入射电子束能量优化。背散射范围取决于入射能量的平方，可能非常大。对于高能束来说，这种弥散效应将显著降低曝光剂量并足以阻碍覆盖在整个区域上的光刻胶的性质有大的改变 由于背散射，曝光剂量也需要进行修正 用一种新的EBL方法，扫描隧道显微镜EBL，邻近效应可完全消除 在这项技术中，将场发射探针放在极其靠近圆片表面的地方，并且通过检测来自探针尖的场发射电流，用反馈控制方法将它保持在那里 扫描电子显微镜的入射电子能量是4～50eV 这项技术已被用于使光刻胶曝光和直接进行表面修改，最小特征尺寸可达200A 对于这项技术，主要关心的是产出量，因为承片台和(或)探针尖必须用机械方式扫描 这种系统的产出量比传统电子束光刻小的多 如果一个由大的针尖阵列组成的系统能够制造出来并能控制的话，STM光刻可能变成一种可行的技术 与光学光刻不同，EBL分辨率小于任何主流IC制造或未来几年所期望的器件几何尺寸 20世纪70年代中期的电子束光刻就已具有写出小于100A宽度的线条和间距能力 现有商用电子束光刻系统现在己能够按照预定程序写出具有小于0.1?m分辨率的特征尺寸图形 系统的价格每台为5百万美元左右，似乎很高。然而，商用准分子激光步进系统的光学光刻机目前价格为2千万美元一台 对EBL的主要关注点是产量。EBL可被看成一系列的加工工序，一个时刻一个像素地将图形信息传送到圆片 使用掩模版的曝光则以并行方式进行大面积图形曝光，每一个像素同时曝光。为提高产量，高亮度源、矢量扫描系统、和大孔径透镜相结合的低感应偏转线圈，在过去几年内都已开发出来 但是，该工艺技术的产出量在最好情况下也仍比光学光刻慢一个数量级 一个典型的圆片含有上十亿的晶体管，使得曝光时间极长。由于产量的限制，直写或EBL成为主流工艺的生产技术是几乎不可能的，一直到有可行的另一种方法出现为止 一个可能的解决方法是设计一种由大量电子束源对圆片并行曝光的系统，包括用接近式探针，类似于那些在扫描隧道显微镜中使用的那样，为圆片曝光 非光学光刻使用X射线作为辐射源 有三个X射线源能够用于X射线光刻(XRL)。按照强度和复杂性增加的顺序，它们是电子碰撞、等离子体和存储环 理想的X射线源应该尽可能地小又尽可能地亮(对于接近式X射线印刷)，或者是均匀的覆盖在大的面积上，而且强度尽可能强(对于投影式X射线印刷) X射线源必须在真空下工作。然而与EBL不同，在X射线光刻中，大多数圆片是在一个大气压下进行曝光。这就改善了产量，因为避免了将圆片抽到高真空 在源上有一个用薄的金属铍做的窗口用来提取X射线。一个小直径(lcm)、25?m厚的薄膜窗口，能承受一个大气压的压差。提高到6cm直径的窗口已经开发出来，用于大面积曝光。 铍窗口随着X射线曝光而老化，因此必须定期更换。 第十一讲 光刻胶的研究进展 内容 光刻胶：正胶与反胶 光刻胶的涂敷和显影 非光学光刻技术 深亚微米光刻的新光刻胶工艺技术 直写电子束光刻系统 光刻胶在曝光之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未曝光的区域将溶解，而曝光的区域被保留。正胶的分辨率往往是最好的，因此在IC制造中的应用更为普及 IC制造中用的光刻胶通常有三种成分，树脂或基体材料、感光化合物(PAC：photoactive compound)、以及可控制光刻胶机械性能（例如集体黏滞性）并使其保持液体状态的溶剂。 在正性光刻胶中，PAC在曝光前作为一种抑制剂，降低光刻胶在显影溶液中的溶解速度。在正性光刻胶暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，从而增加了胶的溶解速率。 理想情况下，抑制剂应完全阻止光刻胶的任何溶解，而增强剂则产生一个无限大的溶解速率 光刻胶使用性能指标：灵敏度和分辨率 灵敏度是指发生上述化学变化所需的光能量（通常用mJ/cm2来度量） 光刻胶的灵敏度越高，曝光过程越快，因此对一个给定的曝光强度，所需的曝光时间将缩短 分辨率是指能在光刻胶上再现的最小特征尺寸 分辨率对曝光设备和光刻胶自身的工艺有很强的依赖性 芳香族环烃和长链聚合物 芳香族环烃由六个排列成平面六角结构的碳原子组成 苯，每一个碳原子都与一个氢原子相连 碳原子通过与两个与其紧相邻的碳原子之间的共价键获得两个电子，与氢结合获得一个电子，每个碳原子的最后一个未配对电子参与一个非局域化的键，该键的形状为围绕着苯分子的一个环