半导体器件原理技术总结.pptVIP

* HBT异质结双极晶体管 PC光子晶体；PV光伏 Pin结型光电二极管主要是在pn结间插入一个本征半导体区（intrinsic region） 量子阱半导体激光器??quantum well semiconductor lasers * Pn结二极管典型的特点是：单向导电性，I-V曲线。 金半接触: 欧姆接触和肖特基接触 异质结：禁带宽度不一样，搞清楚能带结构 * * Si 60年代初代替了锗，主要是由于（1）锗做成器件后漏电比较大，（2）氧化锗溶于水。 * * 如非晶硅， * 顶点和中心的位置原子不等价，只有四个橙色的等价。如果把顶点的原子用其他的原子替代，就形成闪锌矿结构。 * * * * * * * * * * * * 费米能级能够画在能级图上，表明它和量子态的能级一样，描述的是一个能量的高低。但是，它和量子能级不同，它并不代表电子的量子态，而只是反映电子填充能带情况的一个参数。从图看到，从重掺杂p型到重掺杂N型，费米能级越来越高，填进能带的电子越来越多。 不管费米能级的具体位置如何，对于任一给定的半导体材料，在给定温度下的电子、空穴浓度的乘积总是恒定的。 对于p型半导体，随着温度升高，曲线从左到右向上倾斜，EF逐渐从价带方向趋向禁带的中间，在高温时达到本征（EF?Ei）。 EF－Ei n型半导体 p型半导体 过剩载流子（非平衡载流子） 由于受外界因素如光、电的作用，半导体中载流子的分布偏离了平衡态分布，称这些偏离平衡分布的载流子为过剩载流子。 准费米能级 当半导体的平衡被破坏，经常出现平衡有不平衡的局面，即分别就导带和价带电子来说，它们各自基本上处于平衡状态，当导带和价带之间又是不平衡的，表现在它们各自的费米能级互不重合。在这种准平衡情况下，称各个局部的费米能级为“准费米能级”。 过剩载流子与准费米能级示意图 平衡态具有统一的费米能级EF 非平衡态电子和空穴各自处于热平衡态——准平衡态 电子准费米能级 空穴准费米能级 产生与复合是过剩载流子运动的主要形式 在简单的情况下，过剩载流子随时间按指数规律衰减： 非平衡载流子的寿命 寿命　　---- 非平衡载流子的平均生存时间 寿命取决于载流子复合模式 直接复合 间接复合 直接复合 间接复合 小注入： 大注入： 如：小注入下强n型半导体 Nt:复合中心浓度 rp:空穴复合几率 半导体中杂质、缺陷的主要作用： (1)、 起施主或受主作用----- (2)、 复合中心作用----- (3)、陷阱效应作用-----引起半导体特性弛豫 浅杂质能级 深杂质能级、晶格缺陷 决定半导体导电类型和电阻率 决定非平衡载流子寿命 陷阱中心 二、半导体中载流子运动 热运动:导带中的电子和价带中的空穴始终在进行着无规热运动,热平衡时热运动是随机的统计平均的结果净电流为0。 漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。 1、载流子的运动 载流子的漂移运动 载流子在电场作用下的输运过程 漂移运动实际是载流子在电场作用下经历加速、碰撞过程的平均结果。 外场下，导带电子和价 带空穴同时进行漂移运 动，对电导有贡献。 半导体中载流子在电场作用下，将做定向漂移运动，设其定向漂移运动的平均速度（称为漂移速度）为v。 其中n为载流子的浓度，q为载流子的电量。 实验显示，在弱电场下，载流子的漂移速度v与电场成正比E。 与欧姆定律比较得到半导体的电导率表达式 迁移率?：为单位电场作用下载流子获得平均速度，反映了载流子在电场作用下输运能力，是反映半导体及其器件导电能力的重要参数。单位：cm2/Vs。 强场下漂移速度趋于饱和 求得平均漂移速度 获得迁移率的表达式 其中?平均自由时间。 由 影响迁移率的因素 不同的半导体材 料的迁移率不同 不同类型的载流子迁移率不同 电子迁移率空穴迁移率 ?GaAs ?Ge ?Si ----平均自由时间，即相邻两次碰撞之间的平均时间。 其影响因素与散射模式相关 电离杂质散射 晶格散射 当半导体中存在载流子浓度梯度时，将发生载流子的扩散运动，满足扩散方程，并形成扩散电流。 在一维分布情形下，载流子的扩散密度为： 扩散流密度＝ 负号反映扩散流总是从高浓度向低浓度流动。 电子扩散电流： 空穴扩散电流： 载流子的扩散运动 爱因斯坦关系 在平衡条件下，利用电流方程，可导出 爱因斯坦关系 这是半导体中重要的基本关系式之一，反映了漂移和扩散运动的内在联系 当同时存在电场和载流子浓度梯度时，载流子边漂移边扩散。 如果在半导体一面稳定地注入非平衡载流子，它们将一边扩散一边复合，形成一个有高浓度到低浓度的分布N（