半导体物理6技术总结.ppt

半导体物理Semiconductor Physics 第六章 p-n结 第六章 p-n结 引言 若在同一半导体内部，一边是p型，一边是n型，则由于在p型区和n型区交界面附近形成所谓的pn结。它是许多重要半导体器件的核心。 pn结的行为不是简单等价于一块p型半导体和n型半导体串联。这种结构具有特殊的性质：单向导电性。 其单向导电性和在其界面附近形成的势垒密切联系。因此这一节的讨论从pn结的势垒开始，然后介绍电流电压特性、电容效应以及击穿特性等。 引言 6.1 p-n结及其能带图 6.2 p-n结电流电压特性 6.3 p-n结电容 6.4 p-n结击穿 6.5 p-n结隧道效应 6.1 p-n结及其能带图 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 合金法 扩散法 6.1.1 p-n结的形成及杂质分布 还有离子注入法等。 一般认为合金结和高表面浓度的浅扩散结是突变结（两边杂质均匀分布），而低表面浓度的深扩散结是线性缓变结（从p区到n区，杂质浓度逐渐变化）。 在施主区和受主区的分界线处xj，称为结深。 6.1.2 空间电荷区 6.1.3 平衡p-n结能带图 考虑费米能级 6.1.3 平衡p-n结能带图 6.1.3 平衡p-n结能带图 6.1.4 p-n结接触电势差 6.1.4 p-n结接触电势差 6.1.5 p-n结的载流子分布 6.1.5 p-n结的载流子分布 6.1.5 p-n结的载流子分布 6.1.5 p-n结的载流子分布 6.2 p-n结电流电压特性 6.2.1 p-n结电场和电势 泊松方程 6.2.1 p-n结电场和电势 a.突变结p+-n 6.2.1 p-n结电场和电势 电场分布 6.2.1 p-n结电场和电势 讨论： 6.2.1 p-n结电场和电势 电势分布 6.2.1 p-n结电场和电势 讨论： 6.2.1 p-n结电场和电势 b.线性缓变结 6.2.1 p-n结电场和电势 势垒宽度 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 正向偏压V 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 正偏下能带图 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 电流分布情况 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 载流子分布 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 正偏下的非平衡少数载流子 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 反偏下的非平衡少数载流子 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 理想p-n模型 小注入条件 突变耗尽层条件——外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是电中性的。因此，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 计算电流密度方法 计算势垒区边界处注入的非平衡少子浓度，以此为边界条件，计算扩散区中非平衡少子的分布 将非平衡载流子的浓度代入扩散方程，算出扩散密度，再算出少数载流子的电流密度 将两种载流子的扩散密度相加，得到理想p-n结模型的电流电压方程式 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 以正偏为例 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 代入 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 讨论： 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 讨论： 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 势垒区的产生-复合电流 表面效应 大注入的情况 串联电阻效应 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 复合电流（正向偏压） 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 扩散电流与复合电流之比和ni及外加电压V有关。 低正向电压下，复合电流占主要地位； 较高正向偏压下，复合电流可以忽略。 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 产生电流（反向偏压） 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 讨论： Js与反向偏压无关，而JG随反向偏压增加而增加。 禁带宽度小的半导体，反向漏电流增加显著。 温度升高，反向漏电流增加。 少子寿命越小，反向漏电流越大。 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 大注入（正向偏压大） 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 总结 6.2 例题 例1. Si p-n结参数如下：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，p-n结截面积A=0.01cm2，?n= ?p =1us，设结两边的宽度远大于各自少子的扩