半导体制造工艺_13薄膜沉积(下)技术总结.ppt

Two different modes of epitaxy Non-selective epitaxial growth (NSEG) 加热器 a) 必须在蒸发温度提供所需热量，但本身结构仍保持稳定。熔点高于被蒸发金属熔点 b) 不能与处于熔融状态的蒸发料合金化或化合 c) 蒸气压很低 d) 易加工成形 例：难熔钨丝螺旋式蒸发源 溅射Sputtering - 溅射淀积Sputter deposition 利用高能粒子（通常是由电场加速的正离子如Ar+）撞击固体表面，使表面离子（原子或分子）逸出的现象 2、射频溅射 — 也可溅射介质 如靶是绝缘材料，不能采用直流溅射，因为绝缘靶上会有正电荷积累。此时可以使用交流电源。 3、反应溅射 在溅射气体中引入反应活性气体如氧或氮气，可改变或控制溅射膜的特性。 如在低温下可制作SiOx、SiNx等钝化膜或多属布线中的绝缘层；TiN、TaN等导电膜或扩散阻挡层 4、磁控溅射 直流溅射和RF溅射中，电子和气体分子碰撞的离化效率较低，电子的能量有许多消耗在非离化的碰撞和被阳极收集。通过外加磁场提高电子的离化率, 磁控溅射可以提高溅射效率。 蒸发工艺中的一些问题: 对某些元素淀积速率很慢 合金和化合物很难采用 台阶覆盖差 目前大生产很少采用 溅射的优点： 台阶覆盖比蒸发好 辐射缺陷远少于电子束蒸发 制备复合材料和合金性能较好 可以淀积介质材料 溅射的种类: 直流溅射 射频溅射 反应溅射 磁控溅射 准直溅射 ………. 不同元素的平衡蒸气 压与温度的函数关系 而不同元素的溅射产率（yield） 相差不大（0.1-3 per incident ion） 1、直流（DC）溅射 只能溅射导电物质 a）阳极（anode）上放硅片，阴极（cathode）是靶，真空室作为放电二极管，通入放电气体（如Ar） b）阴极加1－10 kV负高压，产生辉光放电，形成等离子体 c）正离子被加速至数百-数千伏，撞击在靶材上，将靶材中原子剥离 d）这些原子形成蒸汽并自由地穿过等离子体区到达硅表面 e）溅射淀积时反应腔里压力在10 mtorr左右。在引入放电气体前，真空室base pressure要达高真空（10－6 torr以上） 直流溅射系统中等离子体结构和电压分布（系统中通入氩气） 等离子体中包含同等数量的正氩离子和电子以及中性氩原子 大部分的电压降在阴极暗区 氩离子轰击阴极靶（如Al）, Al原子被溅射出，通过等离子区淀积到阳极硅片上 阴极辉光 阳极鞘区 等离子体 阴极暗区(鞘区) 溅射中的主要过程 阴极暗区 13.56 MHz RF溅射系统中稳态时的电压分布 当两边面积不等时，面积小的电极一边（电流密度大）有更大电压降，并有关系: V2 V1 Unequal area electrodes (left electrode smaller) m=1~2（实验值） 一般将靶电极的面积设计得较小，电压主要降在靶电极，使溅射 在靶上发生。硅片电极也可以和反应腔体相连，以增加电压降比值 硅片电极也可以单独加上RF偏压，这样在实际淀积前可 预先清洁晶片或“溅射刻蚀”. 另外一种应用是偏压-溅射淀积（bias-sputter deposition）， 在晶片上溅射和淀积同时进行。这可以改善淀积台阶覆盖性 可溅射各种合金和难熔金属，不会像蒸发那样，造成合金组分的偏离 阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚,使得高密度等离子体集中在靶附近, 而不再轰击硅片，避免了硅片的升温 均匀性、重复性好，有良好的台阶覆盖 溅射效率提高 半导体制造工艺基础 第八章 薄膜淀积 (下) 单晶硅外延要采用图中的卧式反应设备，放置硅片的石墨舟为什么要有倾斜? 这里界面层厚度?s是x方向平板长度的函数。 随着x的增加，?s(x)增加，hG下降。如果淀积受质量传输控制，则淀积速度会下降 沿支座方向反应气体浓度的减少, 同样导致淀积速度会下降 ?为气体粘度 ?为气体密度 U为气体速度 因此，支座倾斜可以促使?s(x)沿x变化减小 原理：由于支座倾斜后，气流的流过的截面积下降，导致气流速度的增加，进而导致?s(x)沿x减小和hG的增加。从而用加大hG的方法来补偿沿支座长度方向的气源的耗尽而产生的淀积速率的下降。尤其对质量传输控制的淀积至关重要，如APCVD法外延硅。 外延单晶硅的化学反应式 以上所有反应是可逆的，因此还原反应和HCl对硅的腐蚀均可发生，这和反应剂的摩尔分量和生长温度有关。 目前外延常用气源及相应总体化学反应 硅外延： 硅锗外延： 选择性外延：加HCl 原位掺杂外延：加BH3/B2H6，PH3/AsH3 Selective epitaxial growth (SEG) Oxide Epi Subst