Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应教程解决方案.ppt

* * Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子 及其压力效应 内容提要 第一章 绪论 1.Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 2.国内外研究现状：主要成果 3.未解问题 第二章 物理参数的压力（应变）依赖关系（略） 第三章 ZnSe/ZnCdSe量子阱中应变的压力调制效应 1 . 直接禁带-间接禁带转变压力 2 .重空穴-轻空穴能带交叉压力 第四章 ZnCdSe/ZnSe量子阱中的激子及其压力效应 1. 压力导致的激子-LO声子耦合增强的可能性 2. 重空穴激子的压力系数 3. 体弹性模量对重空穴激子跃迁的影响 第五章 压力对第Ⅱ类异质结的界面激子的结合能的影响 ZnSe/ZnTe异质结 ( ZnTe/CdSe异质结略） 第一章 绪论 1。Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料的特点及研究意义 同以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料相比，以ZnSe和ZnO为代表的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其混晶具有带隙宽、直接带跃迁和能以任何比例组成混晶等优点，除此之外，Ⅱ-Ⅵ族半导体材料还具有较大的有效质量和较小的静态介电常数，具有较大的激子结合能，较小的激子半径，较小的抗磁能移，激子发光可延续到室温等特点，所以长期以来一直被认为是紫、蓝和绿色发光、激光以及在该波段响应的光学双稳和光学非线性应用的重要侯选材料。另外，由于目前GaAs是许多Ⅱ-Ⅵ族半导体外延生长的衬底，而ZnSe和GaAs的晶格失配仅为0.27%，非常适合集成光电子技术的需要。 宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料与激子性质有关的性质有： （1）Ⅱ-Ⅵ 族材料多为强离子型晶体，载流子与LO声子场作用强烈，激子-LO声子耦合也较Ⅲ-Ⅴ族材料强烈—为研究电声子相互作用提供非常合适的材料 （2）高度稳定的激子态 —这个性质可用于制造光学双稳器件 （3）Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构材料界面处存在较大双轴应变 —可使价带顶退兼并 2。国内外研究现状：主要成果 ZnSe 材料80年代末90年代初的两项重大突破： 第一，ZnSe 的p掺杂的实现； 第二，p-ZnSe的低阻欧姆接触的实现。 Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体量子阱研究工作的主要进展： 第一，获得了室温和连续工作的蓝/绿色半导体激光器； 第二，获得室温和具有ns及ps量级响应的光双稳器件。 在压力方面 ： 第一，理论和实验均表明压力可使激子和施主结合能线性或亚线性地提高。 第二，人们发现：对于单异质结结构，压力调制可以造成HH-LH的能级交叉。 不同应变条件下的能带结构（图1.2.1） 3。未解问题 目前国际上对于Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体异质结构材料的研究的注意力已经转向ZnO薄膜及其低维结构材料的研究和Ⅱ-Ⅵ族量子点材料的研究。但传统Ⅱ-Ⅵ族宽带半导体异质结构材料，如ZnSe基量子阱材料的研究仍然显示出蓬勃的生命力，仍需进一步深入的工作。比如：空穴能带弯曲问题。 在压力方面 ： （1）双异质结（量子阱）压力调制效应的实现 （2）ZnSe/ZnCdSe量子阱的光致发光强度随静压快速衰减实验现象的解释 实验发现：ZnSe/ZnCdSe量子阱（x=0.18）在压力增加过程中光致发光的强度随压力增加而减弱得特别快，在3GPa左右样品的发光已被荧光背底完全淹没。可能的解释包括结构相变﹑类型Ⅰ-类型Ⅱ转变﹑Γ-X能带交叉﹑表面损伤﹑压力调制造成的HH-LH能带交叉等. 表1.2.1 ZnSe和GaAs结构相变压力和Γ-X能带交叉压力比较 P=0闪锌矿，直接带隙 P= Pc闪锌矿，间接带隙 P= Ps β-Sn或 NaCl结构（较低的压力） P= Pm半导体-金属相变 GaAs Pc=3GPa Ps=17.2 GPa Pm=25 GPa ZnSe Pc=？（实验未明确，理论有争议） Ps=13.2 GPa Pm=16.5GPa 对于GaAs， 有以下关系 Pc Ps Pm，而对ZnSe， 关系 Pc ? Ps Pm 尚未确定。 （3）压力对激子稳定性的影响 （4）压力下物理参数的描述 （5）光跃迁能量随压力变化关系 实验发现，对于ZnSe/ZnCdSe量子阱结构激子光跃迁能量随压力线性变化，而对于ZnSe/ZnCdSe超晶格结构激子光跃迁能量随压力非线性变化。 上述差别的关键可能在于超晶格和量子阱的体弹性模量不同 。 （6）重空穴激子的压力系数随阱宽变化关系 本文力图解决上述问题中的（1）（2）（第三章）、（3）（5）（6） （第四章）、第Ⅱ类异质结