第一章半导体中的电子状态简析.ppt

锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有多能谷结构。 硅和锗的导带底和价带顶在k空间处于不同的k值，为间接带隙半导体。 所以，对于典型的元素半导体材料，如： 同时，可以看到： 其次，硅、锗的禁带宽度是随温度而变化的。 3. GaAs化合物半导体 GaAs具有闪锌矿结构 金刚石结构 闪锌矿结构 导带有三个极小值： 一个在k 0处，为球形等 能面， 在[111]方向高0.29ev 另一个在[100]方向，为 椭球等能面，能量比k 0 处的高0.36ev， E GaAs Eg 0·36eV L Γ X [111] [100] 0·29eV 1·159eV 价带顶也在坐标原点， k 0，球形等能面，也 有两个价带，存在重、 轻空穴。 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点为于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体。 禁带 导带 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E k 。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 有效质量的概念及物理意义。 有效质量概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 ●两种载流子的