Ag层的厚度对ZnO_Ag_ZnO多层膜性能的影响.docxVIP

第 28 卷　第 9 期半　导　体　学　报Vol . 28 No . 92007 年 9 月C HIN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RSSep . ,2007Ag 层的厚度对 ZnO/ Ag/ ZnO 多层膜性能的影响3李　俊- 　闫金良　孙学卿　李科伟　杨春秀(鲁东大学物理与电子工程学院 , 烟台 264025)摘要: 采用射频磁控溅射 ZnO 陶瓷靶、直流磁控溅射 Ag 靶的方法制备了不同厚度 Ag 夹层的 ZnO ( 60nm) / Ag/ZnO (60nm) 多层膜. 分别用 X 射线衍射仪、紫外可见分光光度计、四探针测试仪对样品的结构、光学性质、电学性质进行了研究. 结果表明 :随着 Ag 层厚度的增加 ,ZnO/ Ag/ ZnO 多层膜呈现多晶结构 , Ag (111) 衍射峰的强度增强. Ag 夹层厚度为 11nm 时 ,ZnO (60nm) / Ag/ ZnO (60nm) 膜在 554nm 处的透过率高达 921 3 %. 随着 Ag 层厚度的增加 ,Ag 膜的特征吸收峰呈现红移和宽化 ,ZnO/ Ag/ ZnO 多层膜的面电阻先减小后趋于稳定.关键词 : 磁控溅射; 多层膜; 结构; 光电性质PACC : 7340V ;7360D ;7300中图分类号 : O48414 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号: 025324177 (2007) 09214022041 　引言2 　实验近年随着大屏幕、高清晰显示器的迅速发展 , 传采用J P G 450 H 型高真空多功能射频磁控溅射统的 I TO 薄膜已满足不了要求 , 更低电阻率和更高仪在室温条件下进行样品的制备. Z nO 陶瓷靶和透过率的透明导电膜成了人们研究的焦点. 而金属11A g 靶的纯度为 99999 % , 溅射频率为 13 56M Hz .介质多层膜的导电性能与单层金属基本相同[ 1～4 ] ,基片用秦宁玻璃公司生产的载物片, 先后用丙酮、酒金属两边的介质层除了保护金属膜外, 还能起增透精和去离子水超声清洗, 用恒温干燥箱烘干. 溅射前-3122121122效果, 使得金属介质多层膜有理由成为 I TO 薄膜的先将系统的真空度抽至 5 0×10 - 4 Pa , 随后充入纯替代品.度为 99 99 %的氩气, 溅射气体压强为 10 Pa . 采用由于 A g 具有优良的导电性能, 而且其带间跃射频磁控溅射 Z nO 靶和直流磁控溅射 A g 靶的方迁始于 4e V 附近, 在可见光区具有相对较低的光吸法制备了 ZnO/ A g/ Z nO 多层膜, 射频溅射功率为收系数[ 5 , 6 ] , 所以我们常选用 A g 作为中间的金属40 W , 直流溅射功率为 18 W . 采用旋转基片的方法层. 有关 I TO , TiO 2 等作为介质层, A g 作为中间金分别沉积了 Z nO 膜和 A g 膜. 制备不同厚度的样品属层的多层膜研究[ 7～9 ] 较为深入, 而 Z nO 是一种宽时, 所用的溅射时间不同.带隙(室温下为 3 3e V ) Ⅱ Ⅵ族化合物半导体材料,膜厚由 F TM V 膜厚监控仪在线监控, 用 Y具有优良的光电性能[ 10 ] , 且无毒价廉, 具有很高的2000 型 X 射线衍射仪测量薄膜结构, 用 TU 1901化学和热稳定性[ 11 ] . 可见研究 Z nO/ A g/ Z nO 的光紫外可见分光光度计测量薄膜光学透过率, 用电性质有十分重要的意义, 但目前国内有关 Z nO/SD Y 4 型四探针测试仪测量薄膜方块电阻.A g/ Z nO 的研究极少.在 Z nO/ A g/ Z nO 多层膜中 , 若 A g 膜太薄, 则3 　结果与分析导电性较差; 若 A g 膜太厚, 虽有利于降低其面电阻, 但透光性急剧下降, 可见透光性能与导电性能是3. 1 　结构分析一对矛盾, 寻找最佳的 A g 膜厚度是研究 Z nO/ A g/Z nO 多层膜的关键. 本文研究了 A g 层厚度对图 1是中间 A g 层厚度不同时的 Z nO/ A g/Z nO/ A g/ Z nO 多层膜的结构、光学和电学性质的Z nO 多层膜的 X R D 图. 当 A g 层的厚度为 4 n m影响, 从而研究出最佳透过率和导电性的 Z nO/ A g/时, A g ( 111 ) 衍射峰尚未出现; 当 A g 层的厚度为221时, A g ( 111) 衍射峰出现, 随着 A g 层厚度的Z nO 多层膜.8 5 n m2山东省教育厅科技基金资助项目( 批准号:J 04B 01)通信作者. Email :lijun_yt @sohu . com　2