复合与寿命绪论.docVIP

复合与寿命 在热平衡状态下，半导体中的电子空穴对处于平衡状态。当有外部激发时，平衡被打破，产生超量载流子，当撤出外部激发，超量载流子浓度逐渐减少，最后回到平衡值。复合的速度受少子寿命的大小决定。复合机制包括：带间复合；深能级复合（导带中的电子和价带中的空穴通过禁带中的复合能级复合）；表面陷阱复合（导带中的电子和价带中的空穴通过表面陷阱复合）。在复合过程中，载流子能量的耗散机理如图1所示，包括：通过发射光子耗散能量（属于辐射复合）；以声子的形式将能量耗散于晶格中（属于多声子复合）。在载流子恢复平衡状态的过程中，这三种机制同时发生作用促使载流子恢复平衡状态。 单晶硅为间接带隙半导体材料，带间复合几率很小，辐射复合寿命为s的数量级。比较而言，复合中心的密度较高，即使是制作功率半导体器件的高纯单晶硅，深能级复合中心寿命也在100μs以下。因此深能级复合寿命在绝大多数器件的工作条件下起主导作用。俄歇复合在重掺杂区和工作在大注入下的双极型功率器件的漂移区才有所体现。 图1 1、复合中心复合 半导体中电子和空穴复合的统计工作最早由Shockley和Read 及Hall独立进行的，分析表明：单深能级复合中心静态复合率由（1）式给出 （1） 式中，和分别是由激发产生的过剩电子和空穴浓度；和分别为平衡电子和空穴浓度；和分别为N型重掺杂和P型重掺杂的少子寿命；和分