光纤技术及应用石顺祥复习描述.ppt

黑体辐射 马赫-泽德光纤干涉仪 灵敏度高， 对多种物理量敏感； 对光纤本身要求高 引起相位变化 或 (a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 半导体中由于原子间的相互作用，电子所处的能级扩展成能级连续分布的能带。能量低的称为价带，高的称为导带，导带底的能量Ec和价带顶的能量Ev之间的能量差 Eg=Ec-Ev 称为禁带宽度或带隙。电子不可能占据禁带。 半导体的能带和电子分布 在PN结界面上，载流子发生扩散运动，形成内部电场，阻碍漂移运动，最终达到平衡，使P区和N区的Ef相同，结果能带发生倾斜。 PN结的能带和电子分布 PN结的能带和电子分布（加压） 在PN结上施加正向电压，减弱内部电场，能带倾斜减小，扩散增强。最后在PN结形成一个特殊的增益区。增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布。在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。 同质结：由同种材料（掺杂不同）形成的PN结 异质结：由不同材料形成的PN结 双异质结构 折射率 电子能量 有源区 注入电子 电子势垒 电子-空穴复合 注入空穴 空穴势垒 波导区 异质结： 为提高辐射功率，需要对载流子和辐射光产生有效约束 1. 不连续的带隙结构 2. 折射率不连续分布 － － － + + 典型的GaAlAs双异质结LED剖面图 转化效