合工大2第一章：半导体物理基础2描述.pptVIP

（4） 杂质补偿半导体中载流子的浓度 考虑强电离及其以上的温度区间，此时：nD+＝ND； pA- =NA，则有： 对于杂质补偿半导体，如果nD+和pA-分别是离化施主和离化受主浓度，电中性条件为： 杂质补偿半导体的费米能级： 四 简并半导体的载流子浓度 1、N型半导体中如果施主浓度ND非常的高，EF 就会与导带底重合甚至进入导带，此时 E-EF kT 这个条件就不成立，必须用费米分布函数来计算导带的电子浓度，这种情况称为载流子的简并化，服从费米分布的半导体称为简并（Degenerate）半导体。 2、如何判断简并－－利用（Ec-EF ）的大小来判断： Degenerate Semiconductor Degenerate Semiconductor Local variation of potential by impurity 不同分布函数计算得到的关系曲线 n0/Nc的差别与（Ec-EF ）的值有关，因此用利用（Ec-EF ）的大小来判断简并与否。 * Physics of Semiconductor Devices * 一 导带电子浓度与价带空穴浓度二 本征载流子浓度与本征费米能级三 杂质半导体的载流子浓度四 简并半导体及其载流子浓度 1.3 半导体中的平衡与非平衡载流子 一 导带电子浓度与价带空穴浓度 (1) 状态密度g(