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Flash Memory—原理与应用 存储器功能模块 基本单元 信息存储方式 Flash Memory 分类 按读写及擦除方式 NOR Flash Nor Flash 电路结构及其单元剖面图 Nor Flash 编程及擦除方式 写入：Hot Electron Injection(CHE)--热电子注入 擦除： Fowler -Nordheim (FN) tunneling--FN沟道效应。 Nor Flash 编程及擦除方式 电子受水平电场作用沿沟道向右运动，其能量不断增多，接着又由于垂直大电场的作使一部分电子穿过氧化层而进入FG。 Nor Flash --XIP 由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。 应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。 Nor Flash --XIP Nor Flash 在嵌入式系统中的应用 Nor Flash 读写时序 首先从地址发出寻址信号，当该信号稳定后，CE#（Chip Enalbe，低有效）变为低电平处于有效状态，然后是OE#（Output Enable，低有效）变为低电平处于有效状态，之后数据就可以通过数据线输出。 NAND Flash Nand Flash 阵列结构 Why named NAND? Nand Flash 擦写方式 Fowler -Nordheim (FN) tunneling. Nand 擦除写入均采用FN沟道效应。 2Gb Nand Flash Nor vs Nand Multi Layer Cell Flash MLC Flash characteristics The application of Flash Memory the 32GB SanDisk microSDHD面向智能手机市场，采用第3代32nm工艺。 3-bit-per-cell NAND flash technology. 2Gb Nor Flash Memory AMD与富士通公司将各自的NOR闪存业务剥离出来，成立了合资公司Spansion Apple-Nand Flash 最大买家 苹果发布2010年第四财季财报，营收203.4亿美元，同比增67%，利润44.6亿美元，同比增70%。 iPhone 销量1410万部，同比涨91.4%; Mac电脑销量389万台，同比涨27.4%; iPod销量905万部，同比跌11%; iPad销量419万台，环比涨28.4%。 ipad iphone 4 Thank you! * *