IGBT模块的研制(看)资料.pptVIP

* 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真：仿真示例 * 3. 器件仿真： 芯片解剖初步确定器件结构； 器件仿真，对初步确定的结构进行仿真，根据仿真结果进行优化，得到一个优化的结构； 通过工艺方案，获得性能优化的实际器件是研发的最终目的； 工艺仿真可以降低工艺研发成本。 * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 4. 工艺仿真： 工艺过程分三大类： 薄膜制备： 金属、半导体、绝缘体膜 CVD，PVD，热氧化 图形转移： 光刻：掩膜版、光刻胶、光刻机 刻蚀：干法、湿法 半导体掺杂： 离子注入、扩散 * 4. 工艺仿真： 完成IGBT芯片制造大约需要20-30步工艺步骤； 前后工艺步骤相互作用、制约： 前期的掺杂会影响后期氧化、刻蚀的速度； 后继各热过程会使前期生成的杂质重新分布。 预获得期望的最终器件结构需要对整个工艺进行整合处理。 如果完全靠实际工艺调整，不仅成本高，且非常耗时。 * 4. 工艺仿真： 工艺仿真可以获得近乎接近实际工艺效果的仿真结果； 通过调节仿真工艺参数，可以快速追踪到切实可行的工艺条件，极大降低工艺成本。 实际工艺实施过程中，只需对少许参数进行控制条件就。 * 4. 工艺仿真 软件支撑： Avanti的Tsuprem4 ISE的Dios 软件仿真优势： 可以随时监控仿真结果； 可以随时保存中间结果，查看工艺效果，调整工艺方案。 * 4. 工艺仿真：工艺文件 * 4. 工艺仿真：中间仿真监控显示 * 4. 工艺仿真：中间保存的结果 * 4. 工艺仿真：仿真示例（元胞仿真） * 4. 工艺仿真：仿真示例（终端仿真） * 4. 工艺仿真：仿真示例（终端仿真） * 4. 工艺仿真： 完成器件解剖与仿真，就可以设计器件结构； 最终以掩膜版的形式表现出来 * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 5.掩膜版设计之掩膜版与版图关系 掩膜版是带铬膜图形的玻璃版； 它决定器件制造过程中，形成各个区域需要打开（或掩蔽）的窗口形状与尺寸。 它由带胶光掩膜基板通过电子束曝光、显影、腐蚀等获得； 控制电子束扫描范围的电子文件的设计就是版图设计。 * 5.掩膜版设计之版图设计 掩膜版设计就是确定器件制造过程中，形成各个区域需要打开（或掩蔽）的窗口形状与尺寸。 所用软件 LEDIT Cadence 版图检查 部分DRC，主要人工 * 一个LEIDT编辑的版图文件 * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 6. 工艺试验与实现 工艺试验： 以工艺仿真为基础的拉偏试验； 芯片厂需新开发的工艺试验： 过去没有 过去有但参数指标与要求有差异； 无法仿真的工艺试验： IGBT背面工艺； 二极管掺铂对结构与器件性能的影响； 需要经验数据，我们已有相当积累。 工艺实现： 厂家有良好的工艺控制的经验积累； * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 7.电参数测试 设备支持： 静态特性： 大功率图示仪：3000V/300A 可编程图示仪：2000V/20A 动态特性： 开关参数测试仪 短路特性测试仪 雪崩耐量测试仪 其他辅助设备： 探针台（用于芯片测试） 多通道数字示波器：动态特性测试显示 * 6.电参数测试 静态特性测试仪：泰克大功率参数测试仪 * 6.电参数测试： 动态参数测试仪： * 6.电参数测试 * 6.电参数测试 * 6.电参数测试 探针台： 真空吸附； 最大芯片直径8英吋； 附带最大放大倍数为50倍的显微镜； 暗箱测试，减小漏电流。 * 课程教材专著 器件物理 半导体工艺 电力电子电路 器件设计器件实现器件分析器件改进 数值分析 器件仿真 工艺仿真 电路仿真 入门 文献研读 实际产品工艺调研 研发实践 提高 深入理解知识更新结合实际积累经验推陈出新 * * IGBT模块的研制 ——从芯片解剖到参数测试 北京工业大学功率半导体研究室 * 主 要 内 容 引 言 芯片解剖 器件仿真 工艺仿真 掩膜版设计 电参数测试 工艺试验与实现 * 1. 引言：IGBT模块 由若干IGBT、FRD芯片串、并联组合而成； 满足一定的电性能和热性能要求。 * 1. 引言： IGBT模块研制过程 可以分成四大部分： 设计：优化器件工作时的电、热分布，使器件综合指标达到最佳折衷。 封装设计 芯片设计 材料准备：确定硅晶圆材料参数 芯片制造：实现设计的芯片结构 封装： * 1. 引言：IGBT模块制造之材料准备 确定硅晶圆材料参数，主要包括： 导电类型：N型