二极管试题.docVIP

晶体二极管和二极管整流电路 姓名： 一、填空 1、如图，这是 材料的二极管的____ 曲线，在正向电压超过 V后，二极 管开始导通，这个电压称为 电压。正常 导通后，此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时，即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系，当正向电压超过 ___后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。 4、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到 时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。 5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ，二极管的主要特性是 。 6、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部 。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。 7、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______ ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______ 。 8、 如图，V1、V2 V1状态 ，V2状态 。 VAB= V 9、如图，V为理想二极管。 V状态 ， VAB= V 10、V为硅二极管。 1)S与A接通时， V的状态 ，VMN= V 2)S与B接通时， V的状态 ，VMN= V 二、判断题 1、( )将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。 2、（ ）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。 3、（ ）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。 4、A 普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。 B 普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。 C 硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。 D 以上说法都不对。 2、（ ）如图，电源接通后，正确说法为 A H1、H2、HB H1、H2、HC H1可能亮，H2、HD H1不亮，H2、H 3、（ ）如图，V为理想二极管 A V导通，VAB=0V。 B V导通，VAB=15V。 C V截止，VAB=12V。 D V截止，VAB=3V。 4、（ ）如图，V为理想二极管 A V截止，VAB=12V。 B V导通，VAB=6V。 C V导通，VAB=18V。 D V截止，VAB=0V。 5、（ ）二极管两端加上正向电压时 A 一定导通 B 超过死区电压才能导通 B 超过0.7伏才能导通 D 超过0.3伏才能导通 6、（ ）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会： A 变大 B 变小 C 不变化 D 不能确定 I(mA) V(v) 0 0.6 -50 A B V1 V2 1K 12V 6V R