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总复习第一章 概论 什么是微电子学？有什么意义？ 晶体管发明：1947，贝尔，肖克莱等 摩尔定律 集成电路分类 1. 数字、模拟、模数混合(按电路功能分） 2. MOS, 双极，BiMOS（按器件结构类型分） 3. SSI,MSI,LSI,VLSI（按规模分） 4. 单片，混合（按结构形式分） 集成电路按器件结构可分为什么类型，各有什么特点？ 总复习第2章半导体物理 总复习第2章 平衡pn结：无偏压下的pn结 雪崩击穿 由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反向电压增加到一定数值时，空间电荷数目较多，自建电场很强，使流过PN结的少子漂移速度加快，可获得足够大的动能，它们与PN结中的中性原子碰撞时，能把价电子从共价建中碰撞出来，产生新的电子空穴对。 雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中。 PN结的伏安特性 定量描绘PN结两端电压和流过结的电流的关系的曲线——PN结的伏安特性。 根据理论分析，PN结的伏安特性方程为 总复习第2章 ：双极型晶体管 三极管在结构上的两个特点： (1)掺杂浓度：发射区集电区基区； (2)基区必须很薄。 内部条件:(1)掺杂浓度：发射区集 电区基区； (2)基区必须很薄。 外部条件:发射结正偏，集电结反偏。 电路接法：共射接法。 晶体管内部载流子的运动 发