第四章半导体中载流子在电磁场中的运动重点分析.ppt

第四章 习题 P143 第2、3、7、16题 P408 第1题 设： 试证明： （1）半导体电导率取极小值σmin的条件是： （2） 其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μp 补充题 三、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH 有四种横向电流： ● 空穴在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 ● 电子在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 (1) y方向的空穴电流密度(Jp)y 假设稳定后，横向电场沿+y方向 洛仑兹力： +y方向 霍尔电场力： (2) y方向上的电子电流密度(Jn)y 稳定时，横向电流为0 (1) 本征半导体：n=p=ni 2．不同半导体RH与温度的关系 1/T RH (－) 例：ZnS (2) N 型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 温度再升高，少子浓度升高 无论温度多高，RH 始终小于0，并且随T 升高，始终下降。 T↑, 1/T RH (－) (－) 饱和区 过渡区 本征区 (－) (3) p型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 过渡区 T↑, p-nb2↓ (p+nb)2↑ 当 p-nb2 0，RH 0 当 nb2=p 时， RH＝0 |