第四章--光电子技术重点分析.pptVIP

（1）T=0K的情况 能量最大的电子处在费米能级上，即E= EF 吸收光子能量hv，从表面逸出的光电子具有的动能： （2）T0 K的情况 能量分布如图曲线2 ▲部分自由电子的能量比费米能级EF高出δE，由于这些电子的存在，在相同入射光子能量条件下，会出现初始速度大于vmax的光电子 ▲在最大动能与入射光频率曲 线上看，会出现在v＜vo时仍然 存在光电效应，如下图所示 （B）半导体材料的光电子发射 目前光电阴极多采用半导体材料，其优点是： （1）对辐射吸收系数大 （2）导电性能适中，电子向表面运动时损失能量小 （3）价带中电子密度很大，容易受激发跃迁 （4）逸出功较小 杂质发射：光电子来源于杂质能级的发射，相应的材料叫杂质 发射体， 缺点：杂质浓度一般不超过1%，杂质发射的量子效率较低 为1%左右 典型材料：“银氧铯（Ag-O-Cs）” （2）光电子向表面运动： 半导体中的自由电子浓度很小，电子散射所造成的能量损失可以忽略不计。电子能量损失的主要是：晶格散射和与价带电子的碰撞，而晶格散射造成的能量损失非常的小。 在以晶格散射为主的半导体中，对于某些吸收系数大于106/cm的半导体，它的逸出深度比较大，所产