第6章淀积范例.pptVIP

第6章 淀积 微芯片加工是一个平面加工的过程，这一过程包含在硅片表面生长不同膜层的步骤。通过淀积工艺可以完成在硅片表面生长薄膜。导电薄膜层和绝缘薄膜层对于能否在硅衬底上成功制作出半导体器件而言是至关重要的。成模技术被用来加工电路，主要用隔离绝缘介质层之间所夹金属导电层连接不同的IC器件。 在制造工艺中，多种不同类型的膜淀积到硅片上。在某些情况下，这些膜成为器件结构中的一个完整部分；另外一些膜则充当了工艺过程中的牺牲层，并且在后续工艺中被去掉。在微芯片加工中，膜淀积通常指薄膜，因为这些膜很薄以致它们的电学和机械特性完全不同于同种材料下更厚的膜。 本章将讨论薄膜淀积的过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘薄膜以及多晶硅的淀积。 6.1 引言 从中规模集成电路和大规模集成电路时代起，早期半导体硅片的设计和加工相对较为直接。这一过程包括在硅片上加工半导体器件以及互连器件到被SiO2介质层所夹的金属导电层。这一技术是在小规模集成电路时代制作平面晶体管技术的扩展。 随着硅片加工向更高的芯片密度，特征尺寸收缩到0.18um甚至更小，加工过程中所用的材料和工艺有了很大变化。为了获得良好的电学性能，器件的各种参数都要有一个同时的等比例缩小。在当今的高级微芯片加工中，需要用到六层甚至更多层金属来做连接。需要新