第四章化学气相沉积重点分析.pptVIP

四、能量增强CVD技术－－2、光增强CVD 不需要高真空，设备比较简单。 和PECVD相比，P-CVD没有高能粒子产生的衬底损伤；反应的可控性好。 作为光源，可以使用低压汞灯、氘灯以及从紫外线到红外线的各种激光器，可在气相中混入汞蒸气以提高激励灵敏性。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 作业 1、什么是CVD反应中的边界层？有何影响？ 2、解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度。 3、什么是LPCVD的优点？ 4、简述PECVD和P-CVD的原理及特点？ 5、写出化学气相沉积制备硅的化学反应方程和主要工艺条件。 6、采用LPCVD TEOS沉积的是什么膜？解释这层膜的优点 第四章 化学气相沉积 二、低压CVD（LPCVD） 中温LPCVD SiO2 当沉积温度控制在680~730℃，用TEOS沉积的SiO2通常有较好的保形性，足以能满足IC生产的要求。 这种沉积一般采用LPCVD技术。热壁反应。（要加入足够的O2） 与APCVD 相比，LPCVD系统有更低的成本，更高的产量和更好的膜性能。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 中温LPCVD SiO2