第7章半导体表面与MIS结构2011范例.ppt

2 三维理想晶体的表面态 理想模型的实际意义在于证明了三维理想晶体的表面上每个原子都会在禁带中产生一个附加能级 大多数结晶半导体的原子密度在1022cm-3量级.按此推算,单位面积表面的表面态数应在1015量级. 数目如此巨大的表面能级实际已构成了一个能带。 表面态本质上与表面原子的未饱和键,即悬挂键有关. 表面取向不同，其悬挂键的密度亦有所不同。表面态亦有施主和受主之分。 通常将空态呈中性而被电子占据后带负电的表面态称为受主型表面态;将空态带正电而被电子占据后呈中性的表面态称为施主型表面态 表面态能够与体内交换电子或空穴,引起半导体表面能带的弯曲,产生耗尽层甚至反型层.当外加偏压使半导体表面电势发生变化时,表面态中的电荷分布也随之变化,即表面态随外加偏压的变化而充放电 7.1.2 实际半导体表面 “理想表面” 就是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且不附着任何原子或分子。这种理想表面实际上并不存在。 表面重构 理想表面的悬键密度很高，而悬键的形成能又比较大(对Si约为2eV)。所以,从能量的角度看,表面原子倾向于通过应变, 即通过原子排列的变通尽可能使悬键密度降低。表面物理学中将这种情况称为表面重构。 Si晶体的重构表面(a)和无重构表面(b)模型 受降低表面自由能这个自然法则的驱使，表面重构使硅晶体实际表面的原子排列比理想表面复杂得多