基区对BJT的重要性辩析.pptVIP

双极型晶体管的结构： 载流子在基区的运输：（以npn型为例） 发射结处于正偏，有利于多子的扩散，基区的空穴也会注入到发射区。进入到基区的电子，大部分电子由于扩散和漂移（内电场的存在）运动到达集电结边界，在集电结反向强电场的作用下被扫入集电区。而小部分注入到基区的电子流会和基区中的空穴流复合，及转换为空穴流。 通过基区在BJT中特殊的位置以及载流子通过基区的过程，可见基区是BJT结构中一个重要的区域。 基区的宽度，参杂浓度以及杂质分布等都会影响双极性晶体管的性能。 基区宽度必须很小（即有效基区的宽度要远远小于基区中少数载流子的扩散长度），这才能形成一个有用的晶体管，否则放大性能太差（这也有利于提高频率和速度）。 同时，基区的掺杂浓度也必须小于发射区的掺杂浓度，否则同样性能也很差（但是基区掺杂浓度也不能太低，否则要影响频率、速度和噪声等性能）。 基区参杂是否均匀影响了晶体管的直流特性。 基区的宽度 适当连接晶体管，可使它具有放大功能。其中确保基区宽度很小就是是晶体管具有放大作用的原因之一，因为当有效基区的宽度远远小于基区中少数载流子的扩散长度时，那么从发射区注入到基区的载流子绝大部分可到达集电区，很少的一部分在基区被复合掉。 共基极电流放大系数α α＝γ·β*·α* 为提高电流放大系数，需减小基区传输系数β*，即减小基区宽