第六章硅片制造中的沾污控制简析.pptVIP

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第六章 硅片制造中的沾污控制 讨论：芯片厂赢利还是亏本的取决因素？ Wafer Yield: YW=Wafersgood/Waferstotal Die Yield: YD=Diesgood/Diestotal Packaging Yield: YC=Chipsgood/Chipstotal Overall Yield: YT=YW×YD×YC 本章要点 6.1 沾污的类型 6.2 沾污的源与控制 6.3 硅片湿法清洗 6.1 沾污的类型 沾污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD） 颗粒 颗粒是能粘附在硅片表面的小物体 悬浮在空气中传播的颗粒称为浮质(aerosol) 颗粒能引起电路开路或短路 可以接受的颗粒尺寸必须小于最小器件特征尺寸的一半 颗粒检测广泛采用激光束扫描硅片表面和检测颗粒散射的光强及位置来进行 金属杂质 危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属 金属来源于化学溶液或者半导体制造中的各种工序（如离子注入工艺）；另一种来源是化学品同传输管道和容器的反应。 金属可以通过两种途径淀积在硅片表面：金属离子通过金属离子与位于硅片表面的氢原子的电荷交换而被束缚在硅表面；当硅表面氧化时金属杂质分布于氧化层内。