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离子研磨机应用 Cross section Polisher(CP) 应用介绍 CP用于SEM, EPMA（电子探针仪）和SAM的样品制备，它可以制备软的、硬的和复合材料的样品，损伤、污染和变形可以控制得非常小。依靠离子束轰击制备样品剖面，观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料。 主要特点： CP可以一步到位地制备出镜面样品。它几乎可以适用于各种材料，包括难以抛光的软材料，如铜、铝、金、焊料和聚合物等；以及难以切割的材料，如陶瓷和玻璃等。配套的高级CCD显微镜，可以精确地把样品定位在几个微米大小的剖面位置上。制备过程中，自动控制样品摇摆，以避免产生表面划痕。由于离子束水平入射、氩离子不会渗入样品表面。 主要设备 在一台仪器上实现了平面和截面两种研磨方式； 研磨速度快，截面研磨速度为300μm/h(Si片)；加工面积大，平面研磨最大可加工直径5mm的区域,加工速度为2μm/h； 可放样品体积大，截面样品：20(W)×12(D)×7(H)mm，平面样品： Φ 50×25(H)mm ； 平面和截面样品台拆卸方便，拆卸后可精确调整； 样品台与日立所有扫描电镜通用。 日立IM