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方方正正做人，实实在在做事。 Cu0 蚀刻液 ───→ O2 Cu+ 蚀刻液 ────→ O2 Cu++ ……….成为可水溶的铜离子 　　为了降低水沟效应减少侧蚀与残足起见，5mil以下的细线应尽可能将待蚀刻的铜层逼薄，同时也还应将抗蚀阻剂逼薄。如此一来除可避免积水而方便氧气进入外，还可加速新鲜药液更换的频率，有效的排除废铜液，逼薄Z方向待蚀铜面上扩散层（Diffusion layer）的厚度，以增快正蚀减缓侧蚀，使细线密线的品质更好 已聚合的干膜能够溶于强碱.目前DES线用的是 2.5%左右的KOH.(在去膜段后为去除表面残留的KOH需经酸洗制程.) 1.目前DES线能做出的线路的最小线宽为 2mil,(即 50微米,蚀刻间距最小2mil)包括干膜解析能力,蚀刻铜厚管控,线路补偿搭配)2.干膜评估干膜分辨率评估为重点.3.设备能力检核:UNIFORMITY(蚀刻均匀性) 1.试验板2/2OZ 20〞×24〞，板厚6mil(含)以上。2.用MRX-4000先量测一片基板两面各120点之铜厚值，并记录于表E内。3.蚀刻：蚀铜厚平均值需控制在 1.0~1.3mil。4.蚀刻试验板三片，已量测板放中间。5. 蚀刻后取中间一片先至前处理酸洗，再量测Data。6.量测方法：于板边留3cm的边，长边取12点，短边取10点，共120点 a Data记录：1. 需分别记录Top side 、Bottom side 每一点量测值2. Top side、 Bottom side、 Both side 之uniformity均需计算3. 定义： Top side μ% = ×100％ Bottom side μ％ = ×100% Both side μ% = ×100% END TKS! * 方方正正做人，实实在在做事。 DES 制程简介 方方正正做人，实实在在做事。 ＤＥＳ简介 一：ＤＥＳ原理简介 二：品质管控 三：生产注意事项 方方正正做人，实实在在做事。 DES 定义： 本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产，是线路形成的关键工序。 Developping ：显影，用化学的方法去掉未曝光的干膜，露出待蚀刻的铜。 Etching ：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段露出来的铜。 Stripping ：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干膜，露出所需要的线路。 方方正正做人，实实在在做事。 DES 定义： 本生产线为显影、蚀刻、去膜之连续生产，是线路形成的关键工序。 Developping ：显影，用化学的方法去掉未曝光的干膜，露出待蚀刻的铜。 Etching ：蚀刻，用化学的方法蚀刻掉在显影段露出来的铜。 Stripping ：去膜，用强碱去掉板面上的剩余干膜，露出所需要的线路。 方方正正做人，实实在在做事。 1 .DES制程的目的 先将没有被UV光照射到的干膜洗掉,再将露出的铜蚀刻掉,最后将被UV光照到的干膜洗掉,从面制作出需要制作的线路. 2 .流程简介 去膜 显影 水洗 蚀刻 水洗 水洗 酸洗 水洗 烘干 送AOI 方方正正做人，实实在在做事。 DES线显影段的原理 基板在作线路前可以在其上下两面压上干膜,然后用紫外光对要制作的线路部分进行照射,干膜中的单体成分在受到紫外光照射时会产生聚合反应,形成交联体,没有受到光照的部分仍为单体. 没有聚合的单体在碰到碳酸钠溶液时可以被溶解成溶于水的钠盐. DES显影段用到的药液的成份就是1%左右的碳酸钠,液温30—40℃。 显影操作一般在显影机中进行，控制好显影液的温度，传送速度，喷淋压力等显影参数，能够得到好的显影效果。 方方正正做人，实实在在做事。 DES线显影段的原理 正确的显影时间通过显出点(没有曝光的干膜从印制板上被显掉之点)来确定，显出点必 须保持在显影段总长度的一个恒定百分比上。如果显出点离显影段出口太近，未聚合的抗蚀膜 得不到充分的清洁显影，抗蚀剂的残余可能留在板面上。如果显出点离显影段的入口太近，已 聚合的于膜由于与显影液过长时间的接触，可能被浸蚀而变得发毛，失去光泽。通常显出点控 制在显影段总长度的40％一60％之内。 使用显影机由于溶液不断地喷淋搅动，会出现大量泡沫，因此必须加入适量的消泡剂。如 正丁醇、食品及医药用的消泡剂、印制板专用消泡剂AF一3等 方方正正做人，实实在在做事。 DES线蚀刻段的原理 蚀刻段的主要反应为: CuCl2 + Cu