-第一章重点分析.ppt

吸收常用质量吸收系数?m表示， ?m＝ ?/? 不同元素的?m不同 H 0.435 Si 60.6 C 4.60 S 89.1 N 7.52 Cl 106 O 11.5 Br 99.6 F 16.4 I 294 如图,当波长接近?k时,比例系数C增大7-10倍,称为K吸收突变或吸收限;?k称为吸收限波长。 4．吸收限的概念及应用 根据?m与波长?和元素原子序数Z关系式 吸收限是由光电效应引起的。即当入射X光子的能量hc/?达到该元素K层电子的结合能时，该元素产生大量光电吸收。 吸收曲线 同理，随入射波长变化，会出现L和M吸收限，描述质量吸收系数随波长改变的关系曲线称为吸收曲线。 K吸收限 L吸收限 吸收曲线的应用： 滤波片的选择: 在XRD中，利用吸收限选用滤波材料，以便获得优质的衍射花样。 例如，从光管靶线中用滤波片获得单色K?线： 衍射分析主要用K?线，K?约为K?的5倍，为去掉K?，常使用一种金属薄片作滤波片，由原子序数低于阳极物质1—2的元素制成，此滤波片物质的吸收限?k恰好位于入射波的K?和K?之间，并尽量靠近K?，K?被大量吸收掉，K?被吸收的很少，易于通过。从而获得单色K?线。 1(Z40)~2(Z = 40) 当 Z靶 40 时，则 Z片 = Z靶 – 1 当 Z靶 = 40 时，则 Z片 = Z靶 – 2 几种元素的K系射线波长及常用的滤波片 Ni吸收曲线 CuK系辐射滤波前后强度变化的比较 Cu Cu 滤波片的厚度确定： 滤波片厚度越大，滤波后比值 越大，但厚度过大，对K?的吸收也增加，降低了绝对强度，这对实验不利。厚度设计的依据： 且K?不低于原强度的 滤波前 滤波后 阳极靶的选择： 针对试样的原子序数Z，调整靶材的种类，避免在试样产生的荧光辐射对XRD分析的不利影响。 Z阳≤Z样:波长稍大于样品吸收限,不会引起K系荧光辐射. Z阳= Z样+1: K?虽会激发荧光辐射,但强度较弱,同时样品的吸收限可滤掉K?,故反而特意用之,称为自动滤波。 Z阳?? Z样: 波长远离样品吸收限，激发荧光辐射较强。 例如：样品Fe的 ?k=0.17429nm 靶材Co的 ?ka=0.17902nm; 靶材Ni的 ?ka=0.16591nm 措施： Z靶 = Z试样 + 1 短波限 连续X射线谱在短波方向有一个波长极限，称为短波限λswl.它是由光子一次碰撞就耗尽能量所产生的X射线。它只与管电压有关，不受其它因素的影响。 Planck‘s law : Energy（photon） ＝ h?= hc/ l 波长越短，能量越高。 能够转化为X光的最大能量为 hc/ lo = eV 因此产生的X光的最短波长受能量的限制 最短波长为lswl（短波限:short wavelength limit) ?swl = hc/KE = hc/eV = 1.24/V 连续谱与U、i、Z的关系 发生管中的总光子数(即连续X射线的强度)与: 1 阳极原子数Z成正比; 2与灯丝电流i成正比; 3与电压V二次方成正比: I连续　? i Z V2 可见，连续X射线的总能量随管电流、阳极靶原子序数和管电压的增加而增大。 特征X射线谱 在连续谱的某些特定的波长位置，会出现一系列强度很高、波长范围很窄的线状光谱，称其为X射线特征谱 当电压达到临界电压时，特征谱线的波长不再变，强度随电压增加。如钼靶K系标识X射线有两个强度高峰为Kα和Kβ，波长分别为0.71A和0.63A. 特征X射线的特征 特征X射线谱的产生相理与阳极物质的原子内部结构紧密相关的。 原子系统内的电子按泡利不相容原理和能量最低原理分布于各个能级。在电子轰击阳极的过程中，当某个具有足够能量的电子将阳极靶原子的内层电子击出时，于是在低能级上出现空位，系统能量升高，处于不稳定激发态。较高能级上的电子向低能级上的空位跃迁，并以光子的形式辐射出特征X射线谱。 产生机理 2 特征X射线的产生机理 (动能Ep ) EN EM EL Ek O ① ② ③ h?=Ek - EL 俄歇电子 入射电子 二次电子 X-射线 EP EK 结合能Ek X射线的产生－以电子轰击激发Ka为例 如图，当入射电子能量Ep大于原子中电子的K轨道结合能Ek时，可以引起K壳层电子电离，形成空穴； 内壳层电离的原子为不稳定状态，于是外壳层电子如能量为EL的L壳层电子自发跃迁填补K壳层空位； 该跃迁过程中将产生能量差?E＝EK－EL，该能量的释放要么发射电磁波hν＝ ? E，即X射线光子，要么发射俄歇电子。二者必居其一，