第二章固体表面与界面电子过程简析.pptVIP

* 气敏机理模型示意图 吸附气体产生新能级模型 * (a) 晶界势垒及空间电荷 ?晶界处集聚有杂质、缺陷和偏析相。 离子（陶瓷）在晶界上的凝集， 则会引起晶界带电。 ?阳离子空位形成数阴离子空位形成数，即晶界上正电荷累积。界面附近晶粒内部则通过空间电荷层将累积电荷抵消了。 ?晶界带电和空间电荷层的形成，引起晶界附近能带弯曲。 ?在氧化物中杂质浓度远大于平衡时的空位，晶界电荷主要由杂质控制。 3.6 晶界势垒及其电荷区 * * ?设界面态密度为Ns(个/cm2)，在耗尽层近似条件下，界面态Ns和施主浓度Nd应满足以下关系Ns= 2Nd?d 故晶界势垒高度φB为 φB=q2Ns/d * 作业： 1 什么是p-n结？ 2 简述p-n结电容特性 4 什么是功函数？什么是表面态？什么是表面势垒？ 5 简述MIS结构及其特性 6. 什么是晶界效应，基于晶界效应的常用器件特征 夜视仪；单反相机原理 * 特点：1）随着D的减小，靠近半导体一侧的金属表面负电荷密度增加，同时，靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随之增加。 2）由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。 (c)紧密接触 表面势：在空间电荷区内便存在一定的电场，造成能带弯曲，使半导体表面和内部之间存在电势差Vs，即表面势。 接触电势差一部分降落在空间电荷区，另一部分降落在金