在Kx方向施加一外电场?,每个电子都受到电场力e?,使不同状态的电子都获得与电场方向相反的加速度,相当于费米球向+Kx方向平移了?Kx——此时波矢接近+KF的电子沿+Kx方向运动就形成了宏观电流——因为移动后的虚线圆不再关于K空间原点对称,这些电子的运动没有其相应的反向运动的电子相抵消,形成了宏观的净电荷迁移。 部分填充的布里渊区中费米球在外电场作用下的移动 ——部分填充的能带可导电。 不同材料能带结构不同,使其导电性有巨大差异 ——导体中总是有部分填充的能带,即其允带一部分能级被电子填充,另一部分能级空着,这样的能带称为导带。 导体的能带结构示意图 绝缘体的能带结构示意图 绝缘体的能量较低的允带是满填的,虽然能量较高的允带可能是空带,但两个允带之间有很宽的禁带(比如禁带宽度?E=3-6eV)。因此在外电场作用下电子也不能逸出能量较低的布里渊区,宏观上不能形成电荷的净迁移,不能产生电流。 半导体的能级结构与绝缘体的相似,但其禁带宽度小(比如?E=0.1-2eV),因而在不很高的温度下,满带中的部分电子受热运动影响,能够被热激发而越过禁带,进入上面的空带中去而形成自由电子,从而产生导电能力。 半导体的能带结构示意图 温度越高,电子越过禁带的机会越多,半导体的导电能力越强。 而且,当满带中的部分电子越过禁带进入上面的空带时,下面的满带中产生了一些空能级位置(称为“空穴”),使满带中剩
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