8双极型晶体管概要.pptVIP

矿石收音机 晶体管作二极管，发射结齐纳二极管、肖特基二极管。 1. 晶体管作为二极管连接 二极管连接形式的晶体管通常采用CBE 结构而不是CEB 结构。 可以作为简单的基准电压源。1uA/um2，25°C 时，发射结的正向导通电压大约为0.65V。 反偏二极管导通电流非常小，但电压超过击穿电压后，二极管电流指数增加 击穿电压小于6V ，主要依据隧穿效应导电的二极管叫做齐纳二极管。 齐纳二极管具有非常低的温度系数，可用于作为温度不敏感的基准电压源。 击穿电压超过6V的二极管通常叫做雪崩二极管。 发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。采用圆形是为了防止发射区拐角处的电场增强。 肖特基二极管是利用导体和半导体之间的整流肖特基势垒形成的。 生成的二极管的正向导通电压取决于导体成分和硅的类型。 功率二极管耐高反压，大正向电流以及较大功耗。其版图和剖面图如下。 N 阱CMOS 工艺可以使用P注入/N 阱结或者N注入/P 型外延层结制作齐纳二极管。 N注入/P衬底二极管，二极管一端接衬底 下图显示了典型的P注入/N 阱齐纳二极管的版图。 产生寄生的PNP晶体管 CMOS 工艺中贵金属硅化物和N 阱之间形成的典型肖特基二极管如下图。沟槽穿过接触孔确保了接触在薄氧化层上。 下图是一个NPN 晶体管的简化模型，二极管D1 代表晶体管的发射结、电流控制电流源I1 代表通过反偏集电结的少子电流