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威刚内部料号编码原则 威刚(苏州)科技有限公司 2005.05.18 威刚内部编码原则 一.威刚内部编码原则 二.DDR Module DDR2 Module 三. Flash 威刚内部编码原则 二.DDR Module DDR2 Module 1.PCB 2.EEPROM 3.DDR IC 4.Capacitor 5.Resistor 1.PCB 2.EEPROM 3.DDR IC DDR2 IC 4. Capacitor 5. Resistor 6.DDR Module DDR2 Module 三. Flash 1.Flash IC 2.Pen Drive 2 3.Rubber Disk 1 3.Flash IC 2.Flash---Pen Drive 2.Flash---Pen Drive * * 例:61 PC B X A D68001H PCB D68001H 绿色184PIN 6L NO-Mark 10Link (01-02): (03-04):料件类型 PC=PCB (05-05):供应商代码 B=欣强 (06-06):PCB标志 X=无印字 A=A-DATD V=V-DATD B=BLITZ (07-07):PCB 连板数 9=9连板 A=10连板 (08-14):供应商料号 例:61 EP S T B 0X ZZZ EEPROMTSSOP 24C02U (01-02): (03-04):料件类型 EP=EEPROM (05-05):供应商代码 S=Samsung A=Atmel (06-06):包装方式 S=Soic T=Tssop (07-07):电压 A=1.7V B=1.8V C=2.2V Z=Don’t Care (08-09):EEPROM 类型 0M=S524A0X21-SCTO 0X= (10-12):预留码 ZZZ=Don’t Care 例:81 ID Y XX 9 F3 03N 0D E 1 0H (DDR400(3) XX 32MX8-5) (01-02): (03-04):料件类型 ID=DDR IC I2=DDR2 IC (05-05):IC等级 X=Original Y=Good Die Z=Down Grade (06-07):IC品牌 HY=Hynix AD=A-DATA WB=Winbond XX=空白 (08-08):IC速度 9=DDR400(CL3) 8=DDR400(CL2.5) 6=DDR333(CL2.5) (09-10):IC结构 (09) F=32M G=64M (10) 以2次方计算ex:3=2^3=8bit 4=2^4=16bit (11-13):IC定义 000=外购已测良品 ZZZ=外购未测IC (11-12) 03=经过PC平台测试 (13)N=苏州 E=永采 (14-15):IC功能 (16-16):IC存储时间(纳秒) A=7.5ns C=6ns E=5ns (17-17):IC制程 1=IC(含铅制程)+Module测试 (18-19):IC供应商厂牌 0H=Hynix 02=PSC 04=Winbond 例:61 CP Z 03 0R1U M (CAPACITOR0.1uF,0603,+/-20%) (01-02): (03-04):料件类型 CP= capacitor (05-05):供应商代码 S=Samaung Y=YAGEO(国巨) Z=Don’t Care (06-07):尺寸 02=0402 03=0603 05=0805 (08-11):电容值 (06-07) 有效数值 (08-08) R=小数值, ex:0R1=0.1 3R3=3.3 (09-09) 单位 P=pF U=uF M=Mf N=Nf 1F=1000uF; 1uF=1000nF; 1nF=1000pF (12-12):公差 A=±0.2pF K=±10% M=±20% N=±25% 例:61 RE Z 03 0220 J 4 (RESISTOR 22Ω,0603,+/-5%,1/10W) (03-04):料件类型 RE=电阻 BD=BEAD(电感) RN=排阻(8P4R) (05-