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单片机的高速运行 埃里希卡斯帕，迪特马尔基辛格， 彼得如舍和罗伯特韦盖尔 如今，以硅（Si）和硅锗（SiGe）技术为基础的单片毫米级集成电路可以用于毫米波频率范围内的遥感和通信系统。当今以先进的硅半导体技术为基础的国家完成了工作频率高达200 GHz的低成本的电路制作并打开了毫米波通信技术在消费应用和传感器应用的大门。硅高频半导体电子的关键部分是硅锗异质结双极晶体管（HBT）。 在硅锗异质结双极晶体管中，基区是由锗硅层和两侧相邻硅层构成的。由于基区低带隙和高基区掺杂，实现了高的发射效率。这使得异质结双极晶体管可以设计成较小的基带宽和低的基带电阻串联[1]。由于硅基器件的低生产成本，因此硅锗异质结双极晶体管能够在硅基单片微波集成电路中获得突破，开启了毫米波消费应用市场[2]。 本文回顾了硅锗技术的发展和突破。硅锗异质结双极晶体管传输频率ft和最高振荡频率在300GHz以上的fmax ，单片集成毫米波电路基于这些异质结双极晶体管已经发展若干代了[3] -[9]。正如我们在下面的概述将要表明的，结合有源和无源器件平面结构，包括天线单元，可以用单芯片来实现毫米波的前端程序 硅锗异质结双极晶体管 历史 在威廉肖克利的原始专利[10]中已经明确提到一个具有超过基极的拥有广泛能隙的发射极双极晶体管。然而Alfons H?hnlein [11]第一次提出了硅锗异质结双极晶体管。1954年7月，赫伯特克勒默提交了一份文件，其中制定了宽间隙发射器的设计理念[12]。1957年，他详细介绍了[13]，[14]宽带发射极晶体管理论。然而，在那个时候，这个技术的实现还达不到要求。 因为晶格常数约有4％的不同，对无缺陷的硅锗层发展是一个挑战。因此，在一个硅衬底上的SiGe薄膜被压得很紧，如有一个稳定的标准按图1所示，该块地方可以达到有效的应变层厚度，即锗的含量[15]。绿色区域标志着稳定区域，其中无缺陷的硅锗薄膜可置于Si衬底上。 图1 硅/锗异质结构层的稳定性图显示了可变现的有效层相对锗含量（密度）的厚度为无条件稳定的无缺陷的硅锗薄膜层的增长[15] 1977年， Erich Kasper 和Peter Russer 提出一个基于单晶锗的混晶体系的基础和指定精确的尺寸规定以及制造程序和技术的双极晶体管[16]。这项专利第一次提出了双异质结构（图2）。根据这一披露，单晶硅材料应用到了超高真空技术（1），首先是负极或正极的硅层掺杂（n/ P）（2）如同集电极。那薄薄的P/n硅锗混和晶体层厚度小于200纳米（3）发展形成了晶体管的基极。在这层被硅射极层所覆盖（6）。这一直是一个必不可少的步骤，以减少晶格不匹配。据报道在1987年，IBM的研究人员[17]第一个实现了硅锗异质结双极晶体管。 图2 硅锗异质结双极晶体管原理图的发现。这些数字对应的是用来制造晶体管的各个层。 原理 在硅锗异质结双极晶体管，基区是由锗硅层和两侧相邻硅层构成的。增加基区锗的含量，该基区的带隙Eg减少为 ΔEg, Ge, ，如图3所示。 图3 硅锗异质结双极晶体管的能带结构。由于硅锗的基极有较低的带隙 由于基区低带隙和高基区掺杂使其达到了较高发射效率。一个HBT的基极比硅双极晶体管掺杂更多，用以减少基极电阻受到放大而造成的负面影响。图4显示了一个HBT的横截面。异质结双极晶体管都采用自对准发射极的基础结构以及选择性外延增长的硅锗基层。从发射到相应的电子注入和相应的自由发射器的设计、基区掺杂，都减少了屏障的影响，实现了明显的高频率运作。 图4 横断面观察的硅锗异质结双极晶体管NPN型自我注入器（SIC）和深沟槽隔离 电流增益截止频率fT，也被称为转换频率，由下式给出 其中Ceb和Ccb是发射极和集电极基基耗尽电容;τb，τe和τc分别为基极，发射极和集电极传输倍，发射极电阻re，给出了 当去嵌入S参数的测量，它不是理想的内部晶体管，而一个晶体管有串联电阻连接的三个触点（发射器，基地，集电极）需要被测量[18]。HBT的最高振荡频率fmax给出 其中rb是基极电阻，Cbc是集电极电容。在硅锗异质结双极晶体管，低带隙允许一个较高的基数掺杂，因此，低基极电阻，从而增加到fmax。 较高的基区掺杂所以相较于硅双极晶体管就可以实现较低的基极电阻。通常的晶体管模式是基于宽频带从低频信号放大到ft。输入和输出之间晶体管的换相导致了损失放大。Luryi[19]提出的晶体管的连贯传输，克服相移的限制。通过共振相位晶体管的调查，结合一个与耗尽层相位延迟一致的传输，第一次实验验证了共振相位晶体管的功率增益超