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精确低电阻测量从识别误差源开始 低电阻（1Ω及以下）的测量面临各种技术挑战。根据应用的不同，人们在构建测试系统时可以选择不同的仪器选件，包括配合电流源使用的纳伏计（用于测量低至几十纳欧的电阻），或者针对低电阻测量（可测量低至几十微欧的电阻）而优化的数字万用表（DMM）。 低电阻测量包含很多与低电压测量相同的误差源，包括由于热电EMF产生的偏移电压，射频干扰（RFI）整流产生的偏移，以及所选仪器伏特计输入电路中的偏移。干扰低电阻测量精度的噪声源包括约翰逊噪声、磁场和地环。过大的共模电流（流经仪器LO端和机架或大地之间的电流）也会影响低电阻的测量精度。低电阻的测量包含诸如引线电阻、非欧姆接触和器件发热之类的误差源。本文旨在提供一些能够消除或最大限度减少这些误差源的方法，以及其它一些测量注意事项，包括干电路测试和电感器件的测试。 利用四线方法克服引线电阻误差 在如图1所示的双线测量方法中，加载的测试电流从测试引线流向待测电阻（R）。然后万用表通过同样一组测试引线测量电阻上的电压并计算出相应的电阻值。不幸的是，当采用双线方法进行低电阻测量时，总引线电阻（RLEAD）被加入到测量中。由于测试电流（I）在引线电阻上引起一个虽然较小但是很明显的电压降，因此万用表测得的电压（VM）不是恰好等于直接落在测试电阻（R）上的电压（VR），从而导致明显的误差。典型引线电阻的大小在10~100mΩ的范围