第15章半导体功率器件合编.ppt

三端双向可控硅开关元件 独立的栅极要为两个反向并联 闸流管服务，称为三端双向可 控硅开关元件，右图显示了这 种器件的交叉结构。它可以被 任意极性的栅控制信号以及任 意极性的阳极-阴极电压触发进 入导态。 带有特殊偏置组态的三端双向可控硅开关元件 一种特殊栅控情况如图，相对电极2， 电极1是正极，所以相对电极1，加了 一个负极性的栅电压，栅电流也是负 的。在这种电压极性下会产生电流I1, J4正偏。电子从n3发出，渡越p2，在 n1区被收集。于是n3p2n1就像饱和工 作状态下晶体管。n1区收集电子降低 n1区电势。贯穿p1n2电流会增加，从而 触发p2n1p1n4闸流管进入导通状态。 MOS栅控闸流管是基于控制npn双极晶体管的增益。若栅极电压为零，npn晶体管增益很低。当加正的栅压，p型基区表面耗尽，p型基区耗尽区与栅相邻。该npn双极器件未耗尽基区宽度w会变窄，器件增益增加。 3. MOS 栅控闸流管 当栅极电压大于阈值电压，n+发射区电子穿过耗尽区进入n型漂移区， 导致其电势下降，进一步正偏p+阳极与n型漂移结电压，产生正反馈。 导通栅电压大约是MOS器件阈电压。该器件优点是控制极输入阻抗高， 相关大电流能转换成很小容量的耦合栅电流 MOS关态闸流管 MOS关态闸流管可通过在MOS 栅极加上一个信号开启与关掉 阳极电流。加上正栅极电压时， n+pn双极晶体管能被开启