CMOS石英晶振最优起振条件分析与电路设计.docVIP

CMOS石英晶振最优起振条件分析与电路设计.doc

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
CMOS石英晶振最优起振条件分析与电路设计

CMOS石英晶振设计 摘 要:本文自动控制原理对CMOS晶振振条件作了详细的分析对电路中影响石英晶振起振的各种寄生参数,结合Matlab对理论分析作了验证最后通过HSPICE模拟进一步验证了理论分析的正确性。 关键词:石英晶振;振 The optimum start-up conditions analysis and Circuit design of CMOS Crystal Oscillator Jiang Renjie (School of Computer Science, National University of Defense Technology) Abstract:This paper investigates the start-up conditionCMOS crystal oscillator base upon the auto-control principle . The effect of oscillator start-up conditions caused by crystal circuit parasitics has been analyzed theoretically in detail. The result of theoretical analysis is verified using Matlab, and the optimum inverter which can guarantee circuit oscillate reliably has been designed for the 15Mhz crystal oscillator as an example. Finally, using Hspice simulation, the correctness of the theoretical analysis is verified further. Key words:Crystal oscillator, Start-up condition I . 引言 在现代电子系统中,Pierce CMOS。基于CMOS反相器的石英晶体振荡器,然而,以前的没有关注晶振寄生对振荡器起振的影响,在固定偏置下,满足“巴克豪森准则”,振荡器似乎能够振荡,如果环路增益太大,电路也不能起振。本文理论分析详细说明了各种参数对电路性能的影响并结合Matlab II . 原理 英谐振器简称晶体,是晶体振荡的核心原件,由石英晶体片、电极、支架及其他辅助装置组成,是利用石英晶体的压电效应原理制成的电、机械振荡系统。如图1是石英晶振的等效电路 石英晶振由等效电阻R0、等效电感L0和等效电容C0组成的串联振荡回路与静态电容C3并联组成。在等效电路中,L0、C0组成串联谐振电路,谐振频率为: 而L0、C0又与C3组成并联谐振回路,谐振频率为: 当工作频率时,晶体呈容性;当工作频率时,晶体呈感性;而当工作频率时,晶体呈容性。晶体在晶体振荡器主振级的振荡电路中呈现感性,即工作频率满足。 如图2是常用的Pierce振荡器拓扑图 Pierce振荡器电路用并联反馈电阻Rf引进直流偏置。在电路起振时,Rf使得反向器的Vin≈Vout≈Vdd/2。为了减小晶振上的负载电阻,这些偏置电阻在工艺和有源器件的特性允许的情况下要尽可能的大,当振荡频率为1MHz~~20MHz时,Rf典型值为1M?~~10M?范围。反相器提供了必要的增益并产生180°相移,电容C1和C2设置电路的反馈因子,结合晶振的感抗产生振荡所需的另外180°相移,在加上反相器提供的180°相移,只要电路环路增益满足“巴克豪森准则”: 那么电路就会在处起振。图2所示的振荡器的小信号模型如图3所示,这可以用来确定振荡器起振条件。跨导gm取决以及电路的偏置条件,电阻R1和R2分别表示总的输入输出阻抗。电容C1和C2包括器件电容和电路产生电容。R0、C0和L0构成晶振的等效电路。电容C3包括了有源器件的电容,但是主要取决于晶振的固有电容,R是偏置引的电阻。 如图3,我们可以研究电路的稳定性条件,从受控电流源的输出端断开环路,引进一个测试电流以计算环路增益。首先,分析晶振等效电路以及R3、C3的等效阻抗,如下: (5) 现在我们可以通过计算环路传输函数来分析电路的稳定性,则有: (6) (7) (8) (9) 从传输函数可以看出,T(s)包含高Q值复

文档评论(0)

peain + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档